[发明专利]计量方法和设备、计算机程序和光刻系统在审

专利信息
申请号: 202080020911.4 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN113574458A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: A·奥诺塞;R·德克斯;R·H·E·C·博施;S·S·A·M·雅各布斯;F·J·布杰恩斯特斯;S·T·德兹瓦特;A·帕尔哈·达·希尔瓦·克莱里戈;N·弗赫尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 赵林琳
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 计量 方法 设备 计算机 程序 光刻 系统
【说明书】:

公开了一种用于计量的方法、计算机程序和相关设备。该方法包括确定重构方案,重构方案至少描述用于在描述目标的参数化的重构中使用的标称值。该方法包括获取与至少一个衬底上的多个目标的测量相关的第一测量数据,上述测量数据与一个或多个获取设置相关,并且通过使成本函数最小化来执行优化,成本函数用于基于上述多个目标中的每个目标的重构参数化来使第一测量数据与经仿真的测量数据之间的差异最小化。成本函数上的约束基于分层先验而被施加。还公开了一种用于提供用于重构的仿真数据的混合模型,包括获取可操作以提供仿真粗略数据的粗略模型;以及训练数据驱动模型以校正上述仿真粗略数据以确定上述仿真数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月14日提交的EP申请19162808.0和于2019年6月5日提交的EP申请19178432.1的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

发明涉及可用于例如通过光刻技术制造器件的计量的方法和设备。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上(通常是施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以使用图案化装置(其备选地称为掩模或掩模版)生成要被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或若干管芯的部分)上。图案的转印通常是经由成像到在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中,经常需要对所创建的结构进行测量,例如,用于工艺控制和验证。用于进行这样的测量的各种工具是已知的,包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜、以及用于测量重叠(器件中的两个层的对准精度的测量)的专用工具。重叠可以在两个层之间的未对准程度方面来描述,例如对经测量的1nm的重叠的引用可以描述两个层未对准1nm的情况。

最近,各种形式的散射仪已被开发用于光刻领域。这些设备将辐射束引导到目标上,并且测量散射辐射的一个或多个特性——例如,作为波长的函数的单个反射角处的强度;作为反射角的函数的一个或多个波长处的强度;或者作为反射角的函数的偏振——以获取衍射图像或图案,可以根据该衍射图像或图案来确定目标的感兴趣特性。

为了使撞击到衬底上的辐射被衍射,具有特定形状的对象被印刷到衬底上并且通常被称为散射测量目标或简称为目标。如上所述,散射测量对象的实际形状可以使用横截面扫描电子显微镜等来确定。然而,这涉及大量时间、精力和专用设备,并且不太适合生产环境中的测量,因为需要单独的专用设备与例如光刻单元中的普通设备一致。

感兴趣特性的确定可以通过各种技术来执行:例如,重构。重构(被定义为基于测量数据而对给定参数化的推理)使用迭代求解器来找到逆问题的解(例如,强度经由反射率到参数化)。RCWA是前向模型(参数化经由反射率到强度),其可以仿真模型对光的响应;但是,它不能单独用于推理向后参数化。

为了执行这样的重构,可以使用在多个参数方面定义被测量的结构的形状的轮廓。为了使轮廓更健壮,应当选择描述参数的良好标称值(表示整个数据)的重构方案。

希望提供一种可以帮助定义重构方案的方法。

发明内容

本发明在第一方面提供了一种确定重构方案的方法,该重构方案至少描述用于在描述目标的参数化的重构中使用的标称值;该方法包括:获取与至少一个衬底上的多个目标的测量相关的第一测量数据,所述测量数据与一个或多个获取设置相关;通过使成本函数最小化来执行优化,成本函数基于所述多个目标中的每个目标的经重构的参数化来使第一测量数据与经仿真的测量数据之间的差异最小化;其中成本函数上的约束基于分层先验而被施加。

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