[发明专利]电子装置的制造方法

说明书

一种电子装置的制造方法，其至少具备下述工序：准备具备粘着性膜(50)、电子部件(70)和支撑基板(80)的结构体(100)的准备工序；以及通过密封材(60)将电子部件(70)进行密封的密封工序，所述粘着性膜(50)具备：基材层(10)；设置于基材层(10)的第1面(10A)侧，且用于将电子部件(70)进行临时固定的粘着性树脂层(A)；设置于基材层(10)的第2面(10B)侧，且通过外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)；以及设置于基材层(10)与粘着性树脂层(A)之间或基材层(10)与粘着性树脂层(B)之间的凹凸吸收性树脂层(C)，所述电子部件(70)与粘着性膜(50)的粘着性树脂层(A)粘贴，并且具有凹凸结构(75)，所述支撑基板(80)与粘着性膜(50)的粘着性树脂层(B)粘贴。

技术领域

本发明涉及电子装置的制造方法。

背景技术

作为能够谋求电子装置(例如，半导体装置)的小型化、轻量化的技术，开发了扇出型WLP(晶片级封装)。

在作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(嵌入式晶片级球栅阵列(EmbeddedWafer Level Ball Grid Array))中，采用了下述方法：在贴附于支撑基板的粘着性膜上，将半导体芯片等多个电子部件以分开的状态进行临时固定，利用密封材将多个电子部件一并密封。这里，粘着性膜在密封工序等中需要粘着于电子部件和支撑基板，并在密封后需要与支撑基板一起从被密封的电子部件除去。

作为这样的扇出型WLP的制造方法相关的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2011-134811号)所记载的技术。

专利文献1中记载了一种半导体装置制造用耐热性粘着片，其特征在于：是在将无基板半导体芯片进行树脂密封时，粘贴而使用的半导体装置制造用耐热性粘着片，上述耐热性粘着片具有基材层和粘着剂层，该粘着剂层是如下的层：贴合后的对于SUS304的粘着力为0.5N/20mm以上，通过直至树脂密封工序结束时刻为止所受到的刺激而固化，从而对于封装的剥离力成为2.0N/20mm以下。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-134811号公报

发明内容

发明所要解决的课题

根据本发明人等的研究，明确了在粘着性膜上，例如在配置具有凸块那样的凹凸结构的电子部件并通过密封材来密封电子部件时，有时电子部件的位置会偏移(以下，也称为电子部件的位置偏移。)、密封材会侵入粘着性膜与电子部件之间而发生密封不良。

本发明是鉴于上述情况而提出的，其提供能够抑制密封工序中的电子部件的位置偏移、密封不良的电子装置的制造方法。

用于解决课题的方法

本发明人等为了解决上述课题而反复深入研究。其结果发现，通过使用具备凹凸吸收性树脂层的粘着性膜作为粘着性膜，从而能够抑制密封工序中的电子部件的位置偏移、密封不良，由此完成了本发明。

根据本发明，提供以下所示的电子装置的制造方法。

[1]

一种电子装置的制造方法，其至少具备下述工序：准备具备粘着性膜、电子部件和支撑基板的结构体的准备工序；以及通过密封材将上述电子部件进行密封的密封工序，所述粘着性膜具备：基材层；设置于上述基材层的第1面侧，且用于将电子部件进行临时固定的粘着性树脂层(A)；设置于上述基材层的第2面侧，且通过外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)；以及设置于上述基材层与上述粘着性树脂层(A)之间或上述基材层与上述粘着性树脂层(B)之间的凹凸吸收性树脂层(C)，

所述电子部件粘贴于上述粘着性膜的上述粘着性树脂层(A)上，并且具有凹凸结构，