[发明专利]氮化物陶瓷基板的制造方法及氮化物陶瓷基材

权利要求书

1.氮化物陶瓷基板的制造方法，其包括下述工序：

利用激光在氮化物陶瓷基材的第1面形成划线的工序；和

沿着所述划线将所述氮化物陶瓷基材分割的工序，

其中，所述划线包含在所述氮化物陶瓷基材的所述第1面形成为一列的多个凹部，

所述多个凹部各自的深度为45μm以上且90μm以下、且为所述多个凹部各自的开口宽度的0.70倍以上且1.10倍以下，

所述多个凹部各自的所述开口宽度为所述多个凹部的中心间距离的1.00倍以上且1.10倍以下。

2.如权利要求1所述的氮化物陶瓷基板的制造方法，其中，形成所述划线的工序中，在所述多个凹部各自的周围形成隆起。

3.如权利要求2所述的氮化物陶瓷基板的制造方法，其还包括下述工序：在形成所述划线后，将所述多个凹部各自的周围的所述隆起除去。

4.如权利要求1所述的氮化物陶瓷基板的制造方法，其中，所述多个凹部各自的所述深度为所述氮化物陶瓷基材的厚度的9/64倍以上且2/9倍以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的氮化物陶瓷基板的制造方法，其中，所述划线包含第1划线和第2划线，所述第1划线包含所述多个凹部中的第1组凹部、且沿第1方向延伸，所述第2划线包含所述多个凹部中的第2组凹部、且沿与所述第1方向相交的第2方向延伸，

所述第2组凹部中位于最接近所述第1划线的位置的凹部不与所述第1组凹部中的任意凹部重叠。

6.如权利要求5所述的氮化物陶瓷基板的制造方法，其中，所述第2组凹部中位于最接近所述第1划线的位置的所述凹部的中心在所述第2方向上与所述第1划线的中心线相隔所述第2组凹部的中心间距离的1.50倍以下的距离。

7.如权利要求1至4中任一项所述的氮化物陶瓷基板的制造方法，其中，所述氮化物陶瓷基材为氮化硅基材或氮化铝基材。

8.氮化物陶瓷基材，其具备形成有划线的第1面，

所述划线包含在所述第1面形成为一列的多个凹部，

所述多个凹部各自的深度为45μm以上且90μm以下、且为所述多个凹部各自的开口宽度的0.70倍以上且1.10倍以下，

所述多个凹部各自的所述开口宽度为所述多个凹部的中心间距离的1.00倍以上且1.10倍以下。