[发明专利]氮化物陶瓷基板的制造方法及氮化物陶瓷基材有效
申请号: | 202080021035.7 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN113646149B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 汤浅晃正;江嶋善幸;藤吉大树;小桥圣治;西村浩二 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B23K26/364;C04B41/91;H05K1/02;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李国卿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 陶瓷 制造 方法 基材 | ||
1.氮化物陶瓷基板的制造方法,其包括下述工序:
利用激光在氮化物陶瓷基材的第1面形成划线的工序;和
沿着所述划线将所述氮化物陶瓷基材分割的工序,
其中,所述划线包含在所述氮化物陶瓷基材的所述第1面形成为一列的多个凹部,
所述多个凹部各自的深度为45μm以上且90μm以下、且为所述多个凹部各自的开口宽度的0.70倍以上且1.10倍以下,
所述多个凹部各自的所述开口宽度为所述多个凹部的中心间距离的1.00倍以上且1.10倍以下。
2.如权利要求1所述的氮化物陶瓷基板的制造方法,其中,形成所述划线的工序中,在所述多个凹部各自的周围形成隆起。
3.如权利要求2所述的氮化物陶瓷基板的制造方法,其还包括下述工序:在形成所述划线后,将所述多个凹部各自的周围的所述隆起除去。
4.如权利要求1所述的氮化物陶瓷基板的制造方法,其中,所述多个凹部各自的所述深度为所述氮化物陶瓷基材的厚度的9/64倍以上且2/9倍以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的氮化物陶瓷基板的制造方法,其中,所述划线包含第1划线和第2划线,所述第1划线包含所述多个凹部中的第1组凹部、且沿第1方向延伸,所述第2划线包含所述多个凹部中的第2组凹部、且沿与所述第1方向相交的第2方向延伸,
所述第2组凹部中位于最接近所述第1划线的位置的凹部不与所述第1组凹部中的任意凹部重叠。
6.如权利要求5所述的氮化物陶瓷基板的制造方法,其中,所述第2组凹部中位于最接近所述第1划线的位置的所述凹部的中心在所述第2方向上与所述第1划线的中心线相隔所述第2组凹部的中心间距离的1.50倍以下的距离。
7.如权利要求1至4中任一项所述的氮化物陶瓷基板的制造方法,其中,所述氮化物陶瓷基材为氮化硅基材或氮化铝基材。
8.氮化物陶瓷基材,其具备形成有划线的第1面,
所述划线包含在所述第1面形成为一列的多个凹部,
所述多个凹部各自的深度为45μm以上且90μm以下、且为所述多个凹部各自的开口宽度的0.70倍以上且1.10倍以下,
所述多个凹部各自的所述开口宽度为所述多个凹部的中心间距离的1.00倍以上且1.10倍以下。
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