[发明专利]氮化物陶瓷基板的制造方法及氮化物陶瓷基材

说明书

首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。

技术领域

本发明涉及氮化物陶瓷基板的制造方法及氮化物陶瓷基材。

背景技术

作为电子部件，有时使用氮化物陶瓷基板。从各种观点、例如高导热率或高绝缘性的观点考虑，氮化物陶瓷基板是优异的。氮化物陶瓷基板可用于各种电子装置，例如可用于功率模块。

例如，如专利文献1～3所记载的，包括氮化物陶瓷基板在内的各种陶瓷基板可以通过利用激光划片将陶瓷基材分割而制造。在陶瓷基材上，利用激光划片而形成划线。陶瓷基材沿着划线而被分割成多个陶瓷基板。

专利文献1中记载了利用激光划片将氮化物陶瓷基材分割成多个氮化物陶瓷基板。利用激光划片而形成的划线包含在氮化物陶瓷基材的表面形成为一列的多个凹部。凹部的开口宽度为0.04mm～0.5mm，凹部的深度为氮化物陶瓷基材的厚度的1/4～1/3，多个凹部的中心间距离为0.2mm以下。

专利文献2中记载了利用激光划片将氧化铝基材分割成多个氧化铝基板。利用激光划片而形成的划线包含在氮化物陶瓷基材的表面形成为一列的多个凹部。凹部具有圆锥形状。

专利文献3中记载了利用激光划片将氮化硅基材分割成多个氮化硅基板。利用激光划片而形成的划线具有沿一个方向连续地延伸的槽。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-324301号公报

专利文献2：日本特开2013-175667号公报

专利文献3：日本特开2014-42066号公报

发明内容

发明要解决的课题

对于氮化物陶瓷基材，有时要求钎料从氮化物陶瓷基材的良好除去、划线在SAT(Scanning Acoustic Tomography，扫描声波显微镜)中的映入的减少以及氮化物陶瓷基材的良好分割。

本发明的目的的一例在于实现钎料从氮化物陶瓷基材的良好除去、划线在SAT中的映入的减少以及氮化物陶瓷基材的良好分割。本发明的其他目的根据本说明书的记载而明确。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式为氮化物陶瓷基板的制造方法，其包括下述工序：

利用激光在氮化物陶瓷基材的第1面形成划线的工序；和

沿着上述划线将上述氮化物陶瓷基材分割的工序，

其中，上述划线包含在上述氮化物陶瓷基材的上述第1面形成为一列的多个凹部，

上述多个凹部各自的深度为上述多个凹部各自的开口宽度的0.70倍以上、1.10倍以下,

上述多个凹部的各自的上述开口宽度为上述多个凹部的中心间距离的1.00倍以上、1.10倍以下。

本发明的另一方式为氮化物陶瓷基材，

其具备形成有划线的第1面，

上述划线包含在上述第1面形成为一列的多个凹部，