[发明专利]正型光敏聚硅氧烷组合物

权利要求书

1.一种正型光敏聚硅氧烷组合物，包含：

(I)聚硅氧烷，

(II)组合物总质量的200～50000ppm的羧酸化合物，其为一元羧酸或二羧酸，

(III)重氮萘醌衍生物，和

(IV)溶剂，

其中，重氮萘醌衍生物的添加量相对于聚硅氧烷的总质量100质量份为1～20质量份。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，一元羧酸的第一酸解离常数pKa₁为5.0以下，二羧酸的第一酸解离常数pKa₁为4.0以下。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述一元羧酸由式(i)表示：

Rⁱ-COOH式(i)

式中，Rⁱ为氢，或具有1～4个碳原子的饱和或不饱和烃基，

所述二羧酸由式(ii)表示：

HOOC-L-COOH式(ii)

式中，L为单键，

具有1至6个碳原子的未取代的亚烷基、羟基取代的亚烷基或氨基取代的亚烷基，

取代或未取代的具有2～4个碳原子的亚烯基，

取代或未取代的具有2～4个碳原子的亚炔基，或

取代或未取代的具有6～10个碳原子的亚芳基。

4.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述羧酸化合物是二羧酸。

5.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述二羧酸可以通过分子内脱水缩合而具有环状结构。

6.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述羧酸化合物的含量为组合物总质量的300～30000ppm。

7.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷包含下式(Ia)所示的重复单元：

式中，

R^Ia代表氢、C_1-30的直链、支链或环状饱和或不饱和脂族烃基或芳族烃基，

所述脂族烃基和所述芳族烃基分别未被取代或被氟、羟基或烷氧基取代，并且

在所述脂族烃基和所述芳族烃基中，亚甲基未被替换，或者一个以上的亚甲基被氧基、氨基、亚氨基或羰基替换，但R^Ia不是羟基、烷氧基。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷包含下式(Ic)所示的重复单元：

9.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷包含下式(Ie)所示的重复单元：

式中，

L^Ie为-(CR^Ie₂)_n-或

这里，n为1～3的整数，

R^Ie各自独立地代表氢、甲基或乙基。

10.根据权利要求7所述的组合物，其中，R^Ia是C_3-20饱和或不饱和环状脂族烃基或芳族烃基。

11.一种固化膜的制造方法，包括以下步骤：

(1)将权利要求1至10中任一项所述的组合物涂覆于基材，以形成组合物层，

(2)使所述组合物层曝光，

(3)用碱性显影剂显影以形成图案，和

(4)加热所得的图案。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述步骤(4)前不包括进行全曝光的步骤。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述碱性显影剂为有机显影剂。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述碱性显影剂为无机显影剂。

15.一种电子器件，其包括由权利要求11至14中任一项所述的方法制造的固化膜。