[发明专利]试样支撑体、试样支撑体的制造方法、电离法及质量分析方法在审
申请号: | 202080021823.6 | 申请日: | 2020-01-23 |
公开(公告)号: | CN113574631A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 小谷政弘;大村孝幸;田代晃 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01J49/10 | 分类号: | H01J49/10;G01N27/62 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 试样 支撑 制造 方法 电离 质量 分析 | ||
1.一种试样支撑体,其特征在于,
是用于试样的电离的试样支撑体,
具备:
基板,其具有第一表面、及与所述第一表面为相反侧的第二表面、以及在所述第一表面及所述第二表面的各个开口的多个贯通孔;
导电层,其设置于所述第一表面上;以及
基质结晶层,其设置于所述导电层上及所述第二表面上的至少一方,
所述基质结晶层以包含将所述多个贯通孔和外部连通的间隙的方式,由多个基质晶粒形成。
2.根据权利要求1所述的试样支撑体,其特征在于,
所述多个贯通孔各自的宽度为1~700nm,
所述基板的厚度为1~50μm。
3.根据权利要求1或2所述的试样支撑体,其中,
所述基板通过将阀金属或硅阳极氧化而形成。
4.一种试样支撑体,其特征在于,
是用于试样的电离的试样支撑体,
具备:
导电性的基板,其具有第一表面、及与所述第一表面为相反侧的第二表面、以及在所述第一表面及所述第二表面的各个开口的多个贯通孔;以及
基质结晶层,其设置于所述第一表面上及所述第二表面上的至少一方,
所述基质结晶层以包含将所述多个贯通孔和外部连通的间隙的方式,由多个基质晶粒形成。
5.一种试样支撑体的制造方法,其特征在于,
是制造用于试样的电离的试样支撑体的方法,
具备:
准备具有第一表面、及与所述第一表面为相反侧的第二表面、以及在所述第一表面及所述第二表面的各个开口的多个贯通孔,且在所述第一表面上设置有导电层的基板的工序;以及
通过蒸镀基质材料而在所述导电层上及所述第二表面上的至少一方设置基质结晶层的工序,
在设置所述基质结晶层的所述工序中,所述基质结晶层以包含将所述多个贯通孔和外部连通的间隙的方式,由多个基质晶粒形成。
6.一种试样支撑体的制造方法,其特征在于,
是制造用于试样的电离的试样支撑体的方法,
具备:
准备具有第一表面、及与所述第一表面为相反侧的第二表面、以及在所述第一表面及所述第二表面的各个开口的多个贯通孔的导电性的基板的工序;以及
通过蒸镀基质材料而在所述第一表面上及所述第二表面上的至少一方设置基质结晶层的工序,
在设置所述基质结晶层的所述工序中,所述基质结晶层以包含将所述多个贯通孔和外部连通的间隙的方式,由多个基质晶粒形成。
7.一种电离法,其特征在于,
具备:
准备具有第一表面、及与所述第一表面为相反侧的第二表面、以及在所述第一表面及所述第二表面的各个开口的多个贯通孔,且在所述第一表面上设置有导电层的基板的工序;
在载置部上配置试样,以所述第二表面与所述试样接触的方式,在所述试样上配置所述基板的工序;
通过蒸镀基质材料而在所述导电层上设置基质结晶层的工序;以及
通过在所述载置部和所述基板之间配置有所述试样的状态下,对所述导电层施加电压且对所述第一表面照射能量射线,而将从所述第二表面侧经由所述多个贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分与基质一起电离的工序,
在设置所述基质结晶层的所述工序中,所述基质结晶层以包含将所述多个贯通孔和外部连通的间隙的方式,由多个基质晶粒形成。
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