[发明专利]磁场传感器有效
| 申请号： | 202080021994.9 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113574403B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | J-F·兰森;D·施莱夫利 | 申请（专利权）人： | 莱姆国际股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 瑞士普朗-*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
1.一种磁场传感器(2)，包括信号调节IC(4)和磁场传感器IC(6)，磁场传感器IC(6)安装在信号调节IC(4)上并且连接到信号调节IC(4)，磁场传感器IC包括半导体衬底(13)，其中传感器有源层(5)设置在磁场传感器(2)的与信号调节IC相对的面向外的侧面(13a)上，传感器有源层(5)连接到导电通孔(9)，导电通孔从所述面向外的侧面(13a)延伸穿过半导体衬底到面向信号调节IC的下侧(13b)，导电通孔(9)的底侧面经由芯片上芯片互连(8)电互连到信号调节IC(4)上的连接焊垫(3)，其中传感器有源层(5)在多个拐角位置连接到相应的导电通孔(9)，其中在面向外的侧面(13a)上或中的连接轨道(7)桥接在传感器有源层和相应的导电通孔(9)之间。
2.如权利要求1所述的磁场传感器，其中芯片上芯片互连(8)包括珠连接(10)。
3.如权利要求1所述的磁场传感器，其中芯片上芯片互连(8)包括焊料连接(12)。
4.如权利要求1所述的磁场传感器，其中传感器有源层(5)包括霍尔效应传感器元件或对磁场敏感的其它形式的磁阻传感器元件。
5.如权利要求1所述的磁场传感器，其中在磁场传感器IC(6)的半导体衬底的下侧(13b)上，提供覆盖导电通孔(9)的连接焊垫(11)，以通过焊接、钎焊或与其一体成形地连接到珠连接(10)。
6.如权利要求1所述的磁场传感器，其中珠连接直接安装在信号调节IC(4)上，并且经由焊料连接(12)直接连接到或通过形成在磁场感测集成电路(6)上的连接焊垫(11)连接到导电通孔(9)。
7.如权利要求1所述的磁场传感器，其中珠连接(10)直接安装在磁场传感器IC上到导电通孔(9)或到安装在导电通孔(9)之上的连接焊垫(11)，并且经由焊料连接(12)连接到信号调节IC上的连接焊垫(3)。
8.如权利要求1所述的磁场传感器(2)，其中磁场传感器IC(6)包括多个所述传感器有源层和相应的导电通孔(9)以及芯片上芯片互连(8)。
9.如权利要求1所述的磁场传感器，其中磁场传感器IC(6)包括至少2×2传感器元件的阵列。
10.如权利要求1所述的磁场传感器，其中磁场传感器IC包括至少2×4传感器元件的阵列。
11.如权利要求10所述的磁场传感器，其中磁场传感器IC(6)包括至少4×4传感器元件的阵列和相应的导电通孔(9)。
12.如权利要求1所述的磁场传感器，其中每个所述传感器有源层(5)在四个位置连接到相应的四个导电通孔(9)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莱姆国际股份有限公司，未经莱姆国际股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080021994.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
