[发明专利]具有双阱隔离的延伸漏极MOS

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

衬底；

所述衬底中的半导体材料的下层，所述下层具有第一导电类型；

延伸漏极金属氧化物半导体晶体管，即延伸漏极MOS晶体管，其包括：

在所述衬底中的漏极阱，所述漏极阱具有所述第一导电类型；

在所述衬底中的源极区，所述源极区具有所述第一导电类型；

在所述衬底中的漏极隔离阱，所述漏极隔离阱具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中所述漏极隔离阱将所述漏极阱与所述下层分开，并且所述漏极隔离阱接触所述漏极阱并接触所述下层；以及

在所述衬底中的体阱，所述体阱具有所述第二导电类型，其中所述体阱将所述源极区与所述下层分开，并且所述体阱接触所述源极区并接触所述下层，并且其中所述漏极隔离阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度小于所述体阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一导电类型为p型并且所述第二导电类型为n型。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括在所述衬底中的阱中的MOS晶体管，所述阱具有所述第二导电类型，其中所述阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度基本上等于所述体阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括在所述衬底中的阱中的MOS晶体管，所述阱具有所述第二导电类型，其中所述阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度基本上等于所述漏极隔离阱中的所述第二导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述漏极隔离阱具有所述第二导电类型的掺杂剂的较高掺杂剂密度的多个区，所述多个区彼此横向相邻，相比于较高掺杂剂密度的所述区，所述较高掺杂剂密度的所述区之间的所述漏极隔离阱具有所述第二导电类型的掺杂剂的较低掺杂剂密度，其中横向是指平行于所述衬底的顶表面的方向。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述漏极隔离阱具有所述第二导电类型的掺杂剂的较高掺杂剂密度的多个区，所述多个区彼此竖直相邻，所述多个区由所述第二导电类型的掺杂剂的较低掺杂剂密度的区分开，其中竖直是指垂直于所述衬底的顶表面的方向。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述漏极阱在场氧化物层的元件下方延伸。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括在所述源极区和漏极接触区上的金属硅化物，所述漏极接触区接触所述漏极阱，其中在所述延伸漏极MOS晶体管的栅极和所述漏极接触区之间的所述衬底的顶表面不含所述金属硅化物。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述延伸漏极MOS晶体管的栅极下方，所述漏极阱接触所述体阱。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述延伸漏极MOS晶体管的栅极下方，通过所述漏极隔离阱将所述漏极阱与所述体阱分开。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括在所述衬底中的阱中的MOS晶体管，所述阱具有所述第一导电类型，其中所述阱中的所述第一导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度基本上等于所述漏极阱中的所述第一导电类型的掺杂剂的平均掺杂剂密度。