[发明专利]有机溶剂的处理方法及处理材料

说明书

一种有机溶剂的处理方法，从电子部件制造工序中使用的有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂的处理方法的特征在于，包括使处理材料与所述有机溶剂接触的工序，所述处理材料是在水中具有正电荷或负电荷且含水率为3质量％以上的处理材料。一种面向电子部件制造工序的有机溶剂处理材料，通过与电子部件制造工序中使用的有机溶剂接触从而从有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂处理材料在水中具有正电荷或负电荷。

技术领域

本发明涉及一种从电子部件制造工序中使用的有机溶剂中去除微粒的处理方法及处理材料。

背景技术

近年来，随着半导体制造工艺的发展，水中的微粒管理日益严格，例如在国际半导体技术发展路线图(ITRS：International Technology Roadmap for Semiconductors)中，在2019年，作为粒径11.9nm的保证值，要求1000个/L。与此相关，关于半导体制造时使用的溶剂中的微粒去除，虽然如所述超纯水那样未设定明确的微粒管理，但伴随着半导体结构的微细化，为了防止图案倒塌，在晶片清洗时开始使用表面张力小的溶剂。其结果，去除溶剂中的微粒等的需求提高。

作为从有机溶剂中去除微粒的方法，以往以来采用蒸馏法(专利文献1、专利文献2)。另外，也采用利用过滤器过滤有机溶剂(专利文献3)。

专利文献4中记载了为了从异丙醇中去除微粒，不仅进行蒸馏，而且进一步使离子交换树脂(阳离子性树脂、阴离子性树脂或它们的混合物)接触。

再者，专利文献5中记载了为了降低超纯水中的二氧化硅浓度，使具有阴离子交换基团的阴离子吸附膜与水接触。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭58-211000号公报

专利文献2：日本特开2016-30233号公报

专利文献3：日本特开平2-119901号公报

专利文献4：日本特表2003-535836号公报

专利文献5：日本特开平10-216721号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种能够从电子部件制造工序中使用的有机溶剂中去除微粒的有机溶剂的处理方法及处理材料。

用于解决问题的手段

本发明的电子部件制造工序中使用的有机溶剂的处理方法包括：使处理材料与所述有机溶剂接触的接触工序，所述处理材料是在水中具有正电荷或负电荷且含水率为3质量％以上的处理材料。

本发明的一方案中，在所述接触工序之前，向所述有机溶剂中添加超纯水。

本发明的一方案中，作为所述处理材料，使用与水接触处理过的处理材料。

本发明的一方案中，所述处理材料由具有阴离子交换基团的聚合物构成。

本发明的一方案中，所述处理材料为纤维的形态。

本发明的处理材料是通过与电子部件制造工序中使用的有机溶剂接触从而从有机溶剂中去除微粒的有机溶剂处理材料，所述处理材料在水中具有正电荷或负电荷。

发明的效果

根据本发明的处理方法及处理材料，能够使有机溶剂中的微粒吸附于处理材料并去除。

具体实施方式

以下，更详细地说明本发明。