[发明专利]能够适用于大直径半导体衬底的半导体衬底制造装置

权利要求书

1.一种半导体衬底的制造装置，具备：

主体容器，收纳半导体衬底；以及

加热炉，具有收纳所述主体容器的加热室，

其中，所述加热炉在与应配置在所述加热室内的所述半导体衬底的主面交叉的方向上具有加热源。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述加热源具有均匀加热所述半导体衬底的主面的均热范围。

3.根据权利要求1或2所述的半导体衬底的制造装置，其中，

所述加热源具有发热的加热部分，

所述加热部分的面积大于或等于所述半导体衬底的面积。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，

所述加热源具有发热的加热部分，

所述加热部分与所述半导体衬底的主面大致平行地配置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述加热源配置在与所述主面相对的位置。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述加热源具有：

第一加热源，配置在与所述主面相对的位置；以及

第二加热源，位于与所述第一加热源相对的位置，

其中，所述主体容器设置在被所述第一加热源和所述第二加热源夹持的位置处。

7.根据权利要求6所述的半导体衬底的制造装置，其中，在所述加热室内的顶面侧具有所述第一加热源，在所述加热室内的底面侧具有第二加热源。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述加热炉能够进行加热，使得在与应该配置于所述加热室内的所述半导体衬底大致垂直的方向上形成温度梯度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，其用于加热直径或长径为6英寸以上的半导体衬底。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述主体容器的至少一部分是与半导体衬底相互输送原子的收发体。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述主体容器由包含构成所述半导体衬底的原子物种的材料构成。

12.根据权利要求11所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述主体容器由包含所有构成所述半导体衬底的原子物种的材料构成。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体衬底的制造装置，其中，还具备收纳所述主体容器的、形成构成半导体衬底的原子物种的气相物种的蒸气压环境的气相物种蒸气压空间。

14.根据权利要求13所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述主体容器的内部经由所述气相物种蒸气压空间被排气。

15.根据权利要求13或14所述的半导体衬底的制造装置，其中，具备高熔点容器，所述高熔点容器具有所述气相物种蒸气压空间并收纳所述主体容器。

16.根据权利要求15所述的半导体衬底的制造装置，其中，所述高熔点容器具有蒸气供给源，所述蒸气供给源能够向内部提供包含构成半导体衬底的原子物种的气相物种的蒸气压。