[发明专利]能够适用于大直径半导体衬底的半导体衬底制造装置

说明书

本发明提供一种即使是直径或长径相对较大的半导体衬底也能够均匀地加热表面的半导体衬底制造装置。一种半导体衬底的制造装置包括：主体容器，收纳半导体衬底；以及加热炉，具有收纳所述主体容器的加热室，其中，所述加热炉在与应配置在所述加热室内的所述半导体衬底交叉的方向上具有加热源。

技术领域

本发明涉及一种能够适用于大直径的半导体衬底的半导体衬底制造装置。

背景技术

以往，作为在半导体衬底的加热中使用的加热炉，通常在侧壁设置加热器以包围半导体衬底的周围。

例如，在专利文献1中记载了一种SiC半导体晶片热处理装置，其具备以包围SiC衬底的周围的方式配置的多个加热器、和支撑各个所述加热器的加热器支撑部，各个所述加热器能够与位置对应的所述加热器支撑部一起一体地拆卸。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-028446号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

以往的半导体衬底的制造装置在衬底的直径或长径相对较小的情况下，能够均匀地加热衬底的表面。

但是，半导体衬底从成本及制造效率的观点出发，要求对直径或长径较大的半导体衬底进行热处理。

但是，在半导体衬底的直径或长径较大的情况下，在以往的装置中衬底的中心部分未被充分加热，从而存在不能一次性进行热处理的问题。

本发明要解决的技术问题是提供一种能够均匀地加热表面的半导体衬底的制造装置。

用于解决问题的手段

解决上述问题的本发明是一种半导体衬底的制造装置，具备：

主体容器，收纳半导体衬底；以及

加热炉，具有收纳所述主体容器的加热室，

所述加热炉在与应配置在所述加热室内的所述半导体衬底的主面交叉的方向上具有加热源。

这样，通过在与应配置在所述加热室内的所述半导体衬底的主面交叉的方向上具有加热源，能够均匀地加热半导体衬底的整个主面。

在本发明的优选方式中，所述加热源具有均匀加热所述半导体衬底的主面的均热范围。

通过采用这样的结构，能够更均匀地加热半导体衬底的整个主面。

在本发明的优选方式中，所述加热源具有发热的加热部分，

所述加热部分的面积大于或等于所述半导体衬底的面积。

通过采用这样的结构，能够更均匀地加热半导体衬底的整个主面。

在本发明的优选方式中，所述加热源具有发热的加热部分，

所述加热部分与所述半导体衬底的主面大致平行地配置。

通过采用这样的方式，能够更均匀地加热半导体衬底的整个主面。

在本发明的优选方式中，所述加热源配置在与所述主面相对的位置。

在本发明的优选方式中，所述加热源具有：

第一加热源，配置在与所述主面相对的位置；以及

第二加热源，位于与所述第一加热源相对的位置，

其中，所述主体容器设置在被所述第一加热源和所述第二加热源夹持的位置处。

通过采用这样的方式，能够更均匀地加热半导体衬底的主面。