[发明专利]3-D NAND模具

权利要求书

1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括：

从包括交替的第二层和第一层的膜堆叠移除一个或多个第一层，所述第一层从所述第一层的第一侧移除以留下由包括多晶硅层的一个或多个膜在第二侧上界定的开口，所述开口具有第一厚度；

通过所述开口修整所述第二层，以将所述开口的厚度从所述第一厚度增大到第二厚度并且将所述第二层的第一厚度减小到比所述第二层的所述第一厚度小的所述第二层的第二厚度；和

在所述开口中沉积字线替换材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层包括氮化物层，并且所述第二层包括氧化物层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二层包括氧化硅，所述第一层包括氮化硅，并且所述字线替换材料包括钨。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二厚度大于或等于比所述第一厚度大约50％。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一厚度在从约1nm至约50nm的范围内。

6.如权利要求1所述的方法，其中移除所述一个或多个第一层进一步包括：

形成穿过所述膜堆叠的狭缝图案开口，所述第一层的所述第一侧被暴露于所述狭缝图案开口；和

通过所述狭缝图案开口将所述第一层的所述第一侧暴露于蚀刻剂。

7.如权利要求6所述的方法，其中修整所述第二层包括通过所述狭缝图案开口将所述第二层暴露于基于氟的干式清洁化学品或经稀释的HF化学品。

8.如权利要求3所述的方法，其中所述字线替换材料进一步包括在所述钨与所述第二层之间的氮化钛衬垫。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成穿过所述膜堆叠的存储器孔沟道；

沉积第一氧化物沟道层；

在所述第一氧化物沟道层上沉积氮化物沟道层；

在所述氮化物沟道层上沉积第二氧化物沟道层；和

在所述第二氧化物沟道层上的所述存储器孔沟道中形成所述多晶硅层。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述开口暴露于原位蒸汽工艺，以在所述开口的所述第二侧处形成原位蒸汽产生(ISSG)氧化物层或自由基等离子体氧化(RPO)氧化物层。

11.如权利要求10所述的方法，其中在修整所述第二层的同时，从所述开口的所述第二侧移除在所述开口的所述第二侧处的所述氧化物层。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述ISSG氧化物层或RPO氧化物层具有约2nm的厚度。

13.一种半导体存储器装置，包括：

膜堆叠，所述膜堆叠在所述半导体存储器装置的第一部分中，包括交替的氮化物层和氧化物层，所述膜堆叠的所述交替的氮化物层和氧化物层具有氮化物∶氧化物厚度比(N_f∶O_f)；和

存储器堆叠，所述存储器堆叠在所述半导体存储器装置的第二部分中，包括交替的字线层和氧化物层，所述存储器堆叠的所述交替的字线层和氧化物层具有字线∶氧化物厚度比(W_m∶O_m)，

其中0.1(W_m∶O_m)＜N_f∶O_f＜0.95(W_m∶O_m)。

14.如权利要求13所述的半导体存储器装置，其中所述膜堆叠的所述氮化物层具有在从约1nm至约50nm的范围内的厚度，所述存储器堆叠的所述氧化物层具有在从约10nm至约20nm的范围内的平均厚度，并且W_m∶O_m在从约2.5∶2至约3.5∶2的范围内。

15.一种处理工具，包括：

中央传送站，所述中央传送站包括被配置为移动晶片的机械手；

多个处理站，每个处理站连接至所述中央传送站并且提供与相邻处理站的处理区域分开的处理区域，所述多个处理站包括氧化物层减薄腔室和字线沉积腔室；和

控制器，所述控制器连接至所述中央传送站和所述多个处理站，所述控制器被配置为激活所述机械手以在所述处理站之间移动所述晶片和控制在所述处理站的每一者中发生的工艺。