[发明专利]基板处理设备及用于基板处理设备的气体供应设备在审
申请号: | 202080024635.9 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN113646465A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 李栽玩;金容玹;金润晶;金尹会;朴昶均 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 用于 气体 供应 | ||
1.一种基板处理设备,包含:
一腔体,提供用于一基板的一处理空间;
一第一气体供应单元,用于将具有一第一蒸气压的一第一气体提供给该腔体;
一第二气体供应单元,用于将具有一第二蒸气压的一第二气体提供给该腔体,该第二蒸气压高于该第一蒸气压;以及
一第三气体供应单元,用于将具有一第三蒸气压的一第三气体提供给该腔体,该第三蒸气压高于该第二蒸气压。
2.如权利要求1所述的基板处理设备,其中
从该第一气体供应单元连接到该腔体的一气体流动路径的长度被设定为长于从该第二气体供应单元连接到该腔体的一气体流动路径的长度,并且
从该第二气体供应单元连接到该腔体的气体流动路径的长度被设定为长于从该第三气体供应单元连接到该腔体的气体流动路径的长度。
3.如权利要求1所述的基板处理设备,包含:
一基板支撑单元,安装于该腔体中的一内部处理空间以支撑该基板;以及
一气体散布单元,从该处理空间的一顶部将一处理气体散布至该基板支撑单元。
4.如权利要求1至权利要求3的任一项所述的基板处理设备,其中
该第一气体包含铟,
该第二气体包含锌,并且
该第三气体包含镓。
5.一种用于一基板处理设备的气体供应设备,该气体供应设备包含:
一第一气体供应单元,用于将一第一气体提供到一腔体,该腔体提供用于一基板的一处理空间;
一第二气体供应单元,用于将一第二气体提供给该腔体,该第二气体具有高于该第一气体的蒸气压;
一第一载送气体供应单元,将一第一载送气体提供到该第一气体供应单元以增加该第一气体的流动力;以及
一第二载送气体供应单元,将一第二载送气体提供到该第二气体供应单元以增加该第二气体的流动力,
其中
该第一载送气体供应单元提供该第一载送气体而使得该第一载送气体被提供到该第一气体供应单元的流速高于该第二载送气体,并且
该第一气体供应单元及该腔体彼此间隔的距离长于该第二气体供应单元及该腔体彼此间隔的距离。
6.如权利要求5所述的气体供应设备,还包含:
一第一气体流动路径,连接该第一气体供应单元;以及
一第二气体流动路径,连接该第二气体供应单元,
其中该第一气体流动路径被形成为具有大于该第二气体流动路径的面积,而使得该第一载送气体流动的流速高于该第二载送气体。
7.如权利要求5所述的气体供应设备,其中
该第一气体供应单元包含一第一注入组件及一第一注入孔,该第一注入组件用于将该第一气体及该第一载送气体注入到该腔体中且该第一注入孔形成于该第一注入组件中,
该第二气体供应单元包含一第二注入组件及一第二注入孔,该第二注入组件用于将该第二气体及该第二载送气体注入到该腔体中且该第二注入孔形成于该第二注入组件中,并且
该第一注入孔被形成为具有大于该第二注入孔的尺寸。
8.一种用于一基板处理设备的气体供应设备,该气体供应设备包含:
N个气体供应单元,将具有不同蒸气压的多个处理气体提供到一腔体,该腔体提供用于一基板的一处理空间,其中N为大于等于3的整数;以及
N个载送气体供应单元,分别将一载送气体提供到所述气体供应单元以增加所述处理气体的流动力,
其中
所述N个气体供应单元中的一第一气体供应单元将一第一气体提供给该腔体,该第一气体的蒸气压低于所述N个气体供应单元中的一第二气体供应单元,且该第一气体供应单元及该腔体彼此间隔的距离长于该第二气体供应单元,并且
所述N个载送气体供应单元中的一第一载送气体供应单元将一第一载送气体提供给该第一气体供应单元,且该第一载送气体的流速高于所述N个载送气体供应单元中的一第二载送气体供应单元。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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