[发明专利]基板处理设备及用于基板处理设备的气体供应设备

说明书

本发明关于一种基板处理设备及用于基板处理设备的气体供应设备。气体供应设备包含：用于将第一气体提供到腔体的第一气体供应单元，腔体提供用于基板的处理空间；用于将第二气体提供给腔体的第二气体供应单元，且第二气体的蒸气压高于第一气体的蒸气压；将第一载送气体提供到第一气体供应单元以增加第一气体的流动力的第一载送气体供应单元；以及将第二载送气体提供到第二气体供应单元以增加第二气体的流动力的第二载送气体供应单元。

技术领域

本发明关于一种基板处理设备，其在基板上执行如沉积工艺及蚀刻工艺等的处理工艺。

背景技术

一般来说，为了制造太阳能电池、半导体装置、平板显示设备等，需要在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案(thin-film circuit pattern)或光学图案(optical pattern)。为此，会有处理工艺在基板上被执行，且处理工艺的示例包含沉积工艺、曝光工艺(photoprocess)、蚀刻工艺等，其中沉积工艺将包含特定材料的薄膜沉积在基板上，曝光工艺使用光感材料选择性地将部分的薄膜曝光，蚀刻工艺将薄膜中选择性曝光的部分移除以形成图案。这种处理工艺通过基板处理设备在基板上被执行。

用于基板处理设备的气体供应设备被用来执行处理工艺。用于基板处理设备的气体供应设备包含多个气体供应单元，气体供应单元将特定的处理气体散布(distribute)并注入(inject)到腔体中。各个气体供应单元可散布并注入选自源气体及反应气体中的一种气体，进而执行如将特定的薄膜层沉积在基板上的处理工艺。

在此，用于基板处理设备的传统气体供应设备因为处理气体具有较低的蒸气压的缘故而使从气体供应单元发出的处理气体中到达腔体的处理气体有流速(flow rate)不足的问题。因此，在用于基板处理设备的传统气体供应设备中，用于处理工艺的处理气体的量便会减少。并且，因为处理气体不足，所以基板中经历处理工艺的薄膜层的质量便会降低。

发明内容

【技术问题】

本发明专为解决上述问题并提供可增加到达腔体的处理气体的流速的基板处理设备及用于基板处理设备的气体供应设备。

【技术手段】

为了达成上述目的，本发明包含下列要件。

根据本发明的基板处理设备可包含一腔体、一第一气体供应单元、一第二气体供应单元以及一第三气体供应单元。腔体提供用于一基板的一处理空间。第一气体供应单元用于将具有一第一蒸气压的一第一气体提供给腔体。第二气体供应单元用于将具有一第二蒸气压的一第二气体提供给腔体，且第二蒸气压高于第一蒸气压。第三气体供应单元用于将具有一第三蒸气压的一第三气体提供给腔体，且第三蒸气压高于第二蒸气压。

根据本发明的用于基板处理设备的气体供应设备可包含一第一气体供应单元、一第二气体供应单元、一第一载送气体供应单元以及一第二载送气体供应单元。第一气体供应单元用于将一第一气体提供到一腔体，腔体提供用于一基板的一处理空间。第二气体供应单元用于将一第二气体提供给腔体，第二气体具有高于第一气体的蒸气压。第一载送气体供应单元将一第一载送气体提供到第一气体供应单元以增加第一气体的流动力。第二载送气体供应单元将一第二载送气体提供到第二气体供应单元以增加第二气体的流动力。第一载送气体供应单元可提供第一载送气体而使得第一载送气体被提供到第一气体供应单元的流速高于第二载送气体。第一气体供应单元及腔体彼此间隔的距离长于第二气体供应单元及腔体彼此间隔的距离。