[发明专利]平坦化外延横向生长层上的表面的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板上的生长限制掩模上或上方生长一个或多个外延横向过度生长(ELO)III族氮化物层；

在相邻的ELO III族氮化物层彼此聚结之前停止所述ELO III族氮化物层的生长；

移除所述生长限制掩模中的至少部分；以及

在所述ELOIII族氮化物层和所述基板上或上方生长一个或多个III族氮化物器件层；

其中在生长所述ELOIII族氮化物层之后和在生长所述III族氮化物器件层中的至少一些之前移除所述生长限制掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物器件层包括p型层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长限制掩模中被移除的至少部分生长限制掩模包括所述生长限制掩模中未被所述ELO III族氮化物层覆盖的至少部分生长限制掩模。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物器件层包括低温生长层、含铟层、含铝层和/或p型层，并且在生长所述低温生长层、含铟层、含铝层和/或p型层之前移除所述生长限制掩模。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在生长所述p型层之前移除所述生长限制掩模以避免由于所述生长限制掩模的分解而对所述p型层进行补偿。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在生长所述III族氮化物器件层的至少一个有源层之前移除所述生长限制掩模。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在生长所述III族氮化物器件层之前移除所述生长限制掩模，并且所述III族氮化物器件层的生长导致移除所述生长限制掩模的底层的生长。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述ELO III族氮化物层和所述III族氮化物器件层一起包括岛状III族氮化物半导体层，并且所述底层不连接到所述岛状III族氮化物半导体层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述ELO III族氮化物层的高度防止所述底层生长或减慢所述底层的生长。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述底层的宽度取决于所述ELO III族氮化物层和所述III族氮化物器件层的侧分面的形状。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述侧分面的边缘位于底部边缘线外侧，使得所述侧分面的边缘在生长期间减少气体的供应，这使得所述底层的宽度更长。

12.一种通过权利要求1的方法制造的器件。

13.一种器件，包括：

生长在一个或多个外延横向过度生长(ELO)III族氮化物层上的一个或多个III族氮化物器件层，其中所述一个或多个ELO III族氮化物层包括所述器件的底部区域，并且所述一个或多个III族氮化物器件层不具有边缘生长。

14.根据权利要求13所述的器件，其中，所述器件的侧分面不具有位于底部边缘线外侧的边缘，这使得所述底部区域的宽度更短。