[发明专利]平坦化外延横向生长层上的表面的方法在审
| 申请号： | 202080024824.6 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113632200A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S.甘德罗图拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;潘晓波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦 化外 横向 生长 表面 方法 | ||
一种平坦化外延横向过度生长(ELO)层上的表面的方法，导致获得具有岛状III族氮化物半导体层的平滑表面。岛状III族氮化物半导体层是通过在ELO层彼此聚结之前停止它们的生长而形成的。然后，在生长至少一些III族氮化物器件层之前移除生长限制掩模。移除掩模减少了对岛状III族氮化物半导体层的侧分面的过量气体供应，这有助于在岛状III族氮化物半导体层上获得平滑的表面。该方法还避免了由来自掩模的分解的n型掺杂剂(诸如硅和氧原子)对p型层的补偿。
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C第119(e)节，本申请要求以下共同待决且共同转让的申请的权益：
由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2019年3月1日提交的、题为“平坦化外延横向生长层上的表面的方法(METHOD FOR FLATTENING A SURFACE ON ANEPITAXIAL LATERAL GROWTH LAYER)”、代理案卷号为GC 30794.0720USP1(UC 2019-409-1)的美国临时申请序列号62/812,453；
该申请通过引用并入本文。
本申请与以下共同待决且共同转让的申请有关：
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2019年10月24日提交的、题为“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)”、代理案卷号为30794.0653USWO(UC 2017-621-1)的美国发明专利申请号16/608,071，该申请根据35U.S.C第365(c)节要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交的、题为“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE)”、代理案卷号为30794.0653WOU1(UC 2017-621-2)的共同待决和共同转让的PCT国际专利申请号PCT/US18/31393的权益，该申请根据35U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交的、题为“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)”、代理案卷号为30794.0653USP1(UC 2017-621-1)的共同待决和共同转让的美国临时专利申请号62/502,205的权益；
由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的、题为“使用裂开技术移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE)”、代理案卷号为30794.0659WOU1(UC 2018-086-2)的PCT国际专利申请号PCT/US18/51375，该申请根据35U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、SrinivasGandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提交的、题为“使用裂开技术移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE)”、代理案卷号为30794.0659USP1(UC 2018-086-1)的共同待决和共同转让的美国临时专利申请号62/559,378的权益；
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会，未经加利福尼亚大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
