[发明专利]荧光体粒子、复合体、发光装置和荧光体粒子的制造方法有效

专利信息
申请号: 202080025231.1 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN113710771B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 野见山智宏;武田雄介;高村麻里奈;奥园达也;宫崎胜;渡边真太郎 申请(专利权)人: 电化株式会社
主分类号: C09K11/08 分类号: C09K11/08;H01L33/50;C09K11/64
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 崔兰;朝鲁门
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 荧光 粒子 复合体 发光 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种荧光体粒子,是含有Eu的α型塞隆荧光体粒子,

在所述α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部,

在横切所述微小凹部的一个截面,深度为5nm~500nm,

所述α型塞隆荧光体粒子由含有Eu元素的α型塞隆荧光体构成,所述α型塞隆荧光体由通式:(M1x,M2y,Euz)(Si12-(m+n)Alm+n)(OnN16-n)表示,在所述通式中,M1为1价Li元素,M2为2价Ca元素,x=0,0<y<2.0,0<z≤0.5,0<x+y,0.3≤x+y+z≤2.0,0<m≤4.0,0<n≤3.0。

2.根据权利要求1所述的荧光体粒子,其中,包含至少一个最大径为50nm~2000nm的所述微小凹部。

3.根据权利要求2所述的荧光体粒子,其中,包含至少一个最大径超过1000nm且为2000nm以下的所述微小凹部,并且

包含至少一个最大径超过500nm且为1000nm以下的所述微小凹部。

4.根据权利要求2或3所述的荧光体粒子,其中,包含至少一个最大径为50nm~500nm的所述微小凹部。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的荧光体粒子,其中,具有多个所述微小凹部邻接的微小凹部群。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的荧光体粒子,其中,在所述荧光体粒子的表面,所述微小凹部所占的区域的面积比率为10%~25%。

7.一种复合体,具备:

权利要求1~6中任一项所述的荧光体粒子和密封所述荧光体粒子的密封材料。

8.一种发光装置,具备:

发出激发光的发光元件,和

转换所述激发光的波长的权利要求7所述的复合体。

9.一种荧光体粒子的制造方法,是权利要求1~6中任一项所述的荧光体粒子的制造方法,具备:

混合工序,将包含构成含有Eu的α型塞隆荧光体粒子的元素的原料混合,

加热工序,加热原料的混合物,得到α型塞隆荧光体,

粉碎工序,将所述加热工序中得到的α型塞隆荧光体粉碎,得到α型塞隆荧光体粒子,和

通过对所述粉碎工序中得到的α型塞隆荧光体粒子实施酸处理,在所述α型塞隆荧光体粒子的表面形成微小凹部的工序。

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