[发明专利]荧光体粒子、复合体、发光装置和荧光体粒子的制造方法

说明书

一种含有Eu的α型塞隆荧光体粒子。在该α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部。该α型塞隆荧光体粒子优选经过原料的混合工序、加热工序、粉碎工序和酸处理工序来制造。

技术领域

本发明涉及荧光体粒子、复合体、发光装置和荧光体粒子的制造方法。

背景技术

作为氮化物、氮氧化物荧光体，已知激活特定的稀土元素而得的α型塞隆荧光体具有有用的荧光特性，应用于白色LED等。在α型塞隆荧光体中，α型氮化硅晶体的Si－N键部分被Al－N键和Al－O键取代，为了保持电中性，在晶格间具有特定的元素(Ca、Li、Mg和Y，或不包括La和Ce的镧系金属)侵入固溶于晶格内的结构。通过将侵入固溶的元素的一部分设为成为发光中心的稀土元素，表现出荧光特性。其中，使Ca固溶并用Eu取代其一部分而得的α型塞隆荧光体在紫外区域～青色区域的宽广波长区域被相对有效地激发，显示黄色～橙色发光。作为进一步提高这样的α型塞隆荧光体的荧光特性的尝试，例如提出了通过分级处理来选出具有特定平均粒径的α型塞隆荧光体(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－96882号公报

发明内容

本发明人对提高α型塞隆荧光体的荧光特性进行了深入研究，结果发现，α型塞隆荧光体的荧光特性因α型塞隆荧光体粒子的表面形状而变化。进而，对哪一种表面形状有利于α型塞隆荧光体的荧光特性进行了研究，结果完成了本发明。

本发明是鉴于这样的情况而进行的。本发明提供实现α型塞隆荧光体粒子的荧光特性的进一步提高的技术。

根据本发明，提供一种荧光体粒子，是含有Eu的α型塞隆荧光体粒子，在上述α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部。

另外，根据本发明，提供一种复合体，具备上述荧光体粒子和密封上述荧光体粒子的密封材料。

另外，根据本发明，提供一种发光装置，具备发出激发光的发光元件和转换上述激发光波长的上述复合体。

另外，根据本发明，提供一种荧光体粒子的制造方法，是上述荧光体粒子的制造方法，具备：混合工序，将包含构成含有Eu的α型塞隆荧光体粒子的元素的原料混合；加热工序，加热原料的混合物，得到α型塞隆荧光体；粉碎工序，将上述加热工序中得到的α型塞隆荧光体粉碎，得到α型塞隆荧光体粒子；和通过对上述粉碎工序中得到的α型塞隆荧光体粒子实施酸处理，在上述α型塞隆荧光体粒子的表面形成微小凹部的工序。

根据本发明，可以提高α型塞隆荧光体粒子的荧光特性。

附图说明

图1的(a)是设置于α型塞隆荧光体粒子表面的微小凹部的示意图。图1的(b)是沿图1的(a)的A－A线的截面中的微小凹部的示意图。

图2是表示实施方式的发光装置的结构的概略截面图。

图3是实施例1的α型塞隆荧光体粒子的SEM图像。

图4是实施例2的α型塞隆荧光体粒子的SEM图像。

图5的(a)是用于实施例1的α型塞隆荧光体粒子的微小凹部的解析的区域的SEM图像。图5的(b)是用于实施例1的α型塞隆荧光体粒子的微小凹部的解析的区域的二值化图像。

图6的(a)是用于实施例2的α型塞隆荧光体粒子的微小凹部的解析的区域的SEM图像。图6的(b)是用于实施例2的α型塞隆荧光体粒子的微小凹部的解析的区域的二值化图像。

图7是追加比较例的α型塞隆荧光体粒子的SEM图像。

图8是追加比较例的α型塞隆荧光体粒子的SEM图像。

具体实施方式