[发明专利]处理冷却水隔离在审
申请号: | 202080025574.8 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN113646880A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 斯里拉姆·松蒂 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 冷却水 隔离 | ||
在一个实施方案中,所公开的装置是用于处理工具中的处理冷却水隔离系统。该系统包括联接在水源和处理模块水冷却回路中的一个或多个部件的入口之间的隔离阀。打开装置允许冷却水流向所述一个或多个部件,而关闭装置防止冷却水流向所述一个或多个部件。至少一个漏水传感器联接到关闭装置以检测处理工具内的漏水。具有入口端口的止回阀联接到所述一个或多个部件的出口,并且出口端口联接到回水储存器。止回阀防止水从回水储存器回流到一个或多个部件中。还公开了其它装置和方法。
优先权要求
本申请要求于2019年3月28日提交的名称为“PROCESS COOLING-WATERISOLATION”的美国专利申请序号为62/825,589的优先权利益,其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
本文公开的主题涉及用于半导体和相关工业中的各种类型的设备。更具体地,所公开的主题涉及例如半导体处理设备内使用的处理冷却水的冷却和控制。
背景技术
处理冷却水(PCW)用于各种类型的半导体处理工具中。这样的工具可以包括各种类型的沉积工具(包括基于等离子体的工具,例如原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等),以及蚀刻工具(例如,反应离子蚀刻(RIE)工具),以及各种类型的热炉(例如,快速热退火(RTA)炉和氧化炉),离子注入工具,以及在半导体和相关工业中的各种制造环境中发现的各种其它处理工具。这些工具是本领域普通技术人员公知的。这些工具中的大多数或所有使用在工具内流动的水来冷却各种部件,例如一个或多个等离子体室,衬底传送机构,例如主轴,衬底基座提升机构,介电窗,静电卡盘,以及本领域普通技术人员已知的各种其它部件。这些部件中的许多使用大量的冷却水(例如在约69kPa压差(约10psid)下约76lpm(约20GPm)的高流速)在部件附近或其内流动。然而,尽管大量的水在这些工具中流动,但目前的工具在泄漏检测时缺乏水流隔离,并且不能防止水从加压回流管回流。
发明内容
因此,需要一种泄露检测系统来检测漏水并触发报警和关闭在系统中流动的水,从而防止对处理工具的损坏以及防止水泄漏到安装工具的制造环境中。
因此,在本文所述的各种实施方案中,所公开的主题描述了一种装置和系统,其通过减少在工具中出现漏水时隔离水源所需的时间来增强系统安全性,从而防止或显著降低用户工厂潜在的溢流的概率。
本章节中所述的信息是用于提供以下所公开的主题的背景给本领域技术人员,且不应将其视为承认的现有技术。
附图说明
图1示出了基于等离子体的处理室的简化示例,其可包括衬底支撑组件,该衬底支撑组件包括静电卡盘(ESC),该静电卡盘具有可与所公开的主题一起使用的水冷部件;
图2示出了根据所公开主题的各种实施方案的处理冷却水隔离系统的示例;
图3示出了根据所公开主题的各种实施方案的操作处理冷却水隔离系统的方法的示例;以及
图4示出了以计算系统的示例形式的机器的简化框图,其中可执行用于使机器执行本文所讨论的方法及操作中的任何一或多者的指令集。
具体实施方式
现在将参考附图中所描绘的一些普遍及特定的实施方案来详细描述所公开的主题。在以下的描述中,将提出多个特定细节以提供对于所公开的主题的彻底理解。然而,明显地,对于本领域技术人员来说,所公开的主题可在没有这些特定细节中的部分或全部的情况下实施。在其它情况下,不详细说明公知的处理步骤或结构,以免不必要地模糊所公开的主题。
所公开的主题包括一种装置和相关方法,以防止由于安装在各种工具内的水冷却回路的失控漏水而引起的制造设备的淹水。总的来说,该装置包括在水冷却回路入口处的隔离阀,在水冷却回路的出口处的止回阀,安装在工具内的一个或多个位置处的漏水传感器,以及控制机构,用于(1)当检测到泄漏时关闭隔离阀;(2)当未检测到泄漏时,保持阀开启。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造