[发明专利]双金属图案化

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成芯轴，所述芯轴包括第一金属层；以及

在所述衬底上形成与所述第一金属层相邻的第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层由间隔体材料隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，电介质层是形成在所述基板与所述芯轴之间的中间层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，电介质层是形成在所述衬底与所述第二金属层之间的中间层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述间隔件材料形成在所述芯轴的侧部上。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述基板上与所述第一金属层相邻地形成所述第二金属层包括：

在芯轴上形成间隔体材料；

在所述间隔体材料上形成填充材料；

穿过所述填充材料和所述间隔物材料形成图案；以及

以所述图案形成所述第二金属层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一金属层包括与所述第二金属层不同的材料。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的材料。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一金属层包括金属线。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二金属层包括金属线。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，衬里层是形成在所述第二金属层与所述间隔体材料之间的中间层。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，衬里层是形成在所述第二金属层与所述衬底之间的插入层。

12.一种半导体器件，包括：

形成在基板上的芯轴，所述芯轴包括第一金属层；以及

第二金属层，所述第二金属层形成在所述基板上与所述第一金属层相邻，所述第一金属层和所述第二金属层由间隔体材料隔开。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，电介质层是形成在所述衬底与所述芯轴之间的中间层。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，电介质层是形成在所述衬底与所述第二金属层之间的中间层。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体器件，其中，所述间隔体材料形成在所述芯轴的两侧上。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一金属层包括与所述第二金属层不同的材料。

17.根据权利要求12至15中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的材料。

18.根据权利要求12至17中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一金属层包括金属线，并且所述第二金属层包括另一金属线。

19.根据权利要求12至18中任一项所述的半导体器件，其中，衬垫层是形成在所述第二金属层与所述间隔体材料之间的中间层。

20.根据权利要求12至18中任一项所述的半导体器件，其中，衬里层是形成在所述第二金属层与所述衬底之间的插入层。