[发明专利]双金属图案化

说明书

本发明涉及一种方法和半导体器件。芯轴形成在基板上，芯轴包括第一金属层。在衬底上形成与第一金属层相邻的第二金属层，第一金属层和第二金属层由间隔体材料隔开。

技术领域

本发明总体上涉及用于半导体器件的制造方法和所得结构，并且更具体地涉及使用双金属双图案化用于互连或导线的方法和结构。

背景技术

后段制程(BEOL)是集成电路(IC)制造的第二部分，其中诸如晶体管、电容器、电阻器等的各个电路器件与晶圆上的布线互连。用于布线的常用金属包括铜和铝。BEOL通常在第一金属层沉积在晶圆上时开始。BEOL包括用于芯片到封装连接的触点、绝缘层(电介质)、金属层和接合位点。已经针对互补金属氧化物半导体(CMOS)制造实施了多重图案化。在对导线进行图案化的实际方案中，自对准双重图案化(SADP)和自对准四重图案化(SAQP)用于形成导线。在小尺度下，实现适当的互连节距变得更加困难。

因此，本领域需要解决上述问题。

发明内容

从第一方面来看，本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成芯轴，芯轴包括第一金属层；以及在所述衬底上形成与所述第一金属层相邻的第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层由间隔体材料隔开。

从另一方面来看，本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的芯轴，芯轴包括第一金属层；以及第二金属层，所述第二金属层邻近所述第一金属层形成在所述基板上，所述第一金属层和所述第二金属层由间隔体材料隔开。

本发明的实施例针对一种用于形成半导体器件的方法。该方法的非限制性示例包括在衬底上形成芯轴，芯轴包括第一金属层，以及在衬底上形成与第一金属层相邻的第二金属层，第一金属层和第二金属层由间隔体材料隔开。

本发明的实施例涉及一种半导体装置。半导体器件的非限制性示例包括在衬底上形成的芯棒，芯棒包括第一金属层，以及

第二金属层，所述第二金属层形成在所述基板上与所述第一金属层相邻，所述第一金属层和所述第二金属层由间隔体材料隔开。

通过本发明的技术实现了附加的技术特征和益处。在此详细描述了本发明的实施例和方面，并且这些实施例和方面被认为是所要求保护的主题的一部分。为了更好地理解，参考具体实施方式和附图。

附图说明

现在将参考如在以下附图中展示的优选实施例仅通过举例来描述本发明：

图1示出根据本发明的实施例的在初始的一组制造操作之后的半导体器件的等距视图；图2示出了根据本发明的实施例的半导体器件在制造操作之后的等距视图；

图3描绘了在根据本发明的实施例的制造操作之后的半导体器件的等距视图；

图4示出了根据本发明的实施例的半导体器件在制造操作之后的等距视图；

图5A描绘了在根据本发明的实施例的制造操作之后的半导体器件的等距视图；

图5B描绘了根据本发明的实施例的图5A中的半导体器件的侧视图；

图5C描绘了根据本发明的实施例的图5A中的半导体器件的顶视图；

图6A描绘了在根据本发明的实施例的制造操作之后的半导体器件的等距视图；

图6B描绘了根据本发明的实施例的图6A中的半导体器件的侧视图；

图6C描绘了根据本发明的实施例的图6A中的半导体器件的顶视图；

图7描绘了在根据本发明的实施例的制造操作之后的半导体器件的等距视图；

图8A描绘了在根据本发明的实施例的制造操作之后的半导体器件的等距视图；