[发明专利]半导体集成电路装置和半导体集成电路装置的检查方法在审
申请号: | 202080027610.4 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN113711065A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 佐藤尭生;根本一则;小田部晃 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 检查 方法 | ||
本发明提供了一种半导体集成电路装置和半导体集成电路装置的检查方法,上述半导体集成电路装置中内置模拟电路及其诊断电路,其中,在晶片级老化时不使诊断电路动作,能够通过提高DSP的激活率而提高老化筛选品质。
技术领域
本发明涉及半导体集成电路装置的电路结构和检查方法,特别是涉及通过晶片级老化(WLBI)进行检查的应用于半导体集成电路装置中有效的技术。
背景技术
一边施加温度等负载一边驱动半导体集成电路装置(LSI),在短时间内对潜藏在LSI中的故障进行筛选的老化筛选是一种在LSI、特别是要求高可靠性的车载用LSI中为了保证品质而不可或缺的工艺。
对形成在晶片上的LSI芯片进行该老化筛选的方法为晶片级老化(WLBI:WaferLevel Burn-In)。
在晶片级老化(WLBI)中,使WLBI用夹具(WLBI探针)与LSI芯片的焊盘(PAD)电极稳定地接触,进行电源的供给和信号的输入输出,通过在高温下驱动晶片上的LSI芯片,判别LSI的好坏。
作为本技术领域的背景技术,例如有专利文献1这样的技术。在专利文献1中公开了“一种晶片老化测试方法,根据晶格写入电平使对列开关的栅极供给的电压电平变化”。(专利文献1的权利要求1)。
另外,在专利文献2中公开了“一种半导体集成电路装置,其中内置有模拟电路,其特征在于,包括:输出的电压根据所输入的电压值切换信号而改变的电压电路;和设置于上述电压电路的输出和上述模拟电路的模拟信号用输入端子之间的开关元件”。(专利文献2的第[0009]段)
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-157282号公报
专利文献2:日本特开2008-32448号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,在车载用LSI中,在搭载模拟电路的情况下,为了确保高的可靠性,一般配置用于对该模拟电路进行诊断的诊断电路与该模拟电路作为一对。
在对配置有诊断电路的LSI进行晶片级老化(WLBI)的情况下,如果信号输入PAD成为释放状态,则诊断电路进行动作,内部状态被固定,数字信号处理部(DSP)的激活率降低,老化筛选(判别LSI的好坏)的品质降低。
另一方面,在为了晶片级老化(WLBI)而对WLBI用夹具(WLBI探针)追加电压施加引脚的情况下,会导致WLBI用夹具(WLBI探针)的成本上升。
在上述专利文献1中,设定成对存储器外围电路(传感系统电路)不施加过高的电压的状态进行老化,但没有关于伴随上述的晶片级老化时的诊断电路的动作的课题的记载。
另外,在上述专利文献2中,针对模拟电路的输入具有将老化和通常动作时进行切换的开关和选择信号,将电压电路的输出从由内部信号DINn_n和/或时钟CLK生成的电压值切换信号生成电路的输出进行切换而输入到模拟电路中,但没有记载切换电压的目的,与专利文献1同样,也没有关于伴随晶片级老化时的诊断电路的动作的课题的记载。
因此,本发明的目的在于,提供一种半导体集成电路装置和半导体集成电路装置的检查方法,在内置有模拟电路及其诊断电路的半导体集成电路装置中,在晶片级老化时不使诊断电路进行动作,提高了DSP的激活率,能够提高老化筛选的品质。
用于解决问题的技术方案
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