[发明专利]表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置

权利要求书

1.一种表面被覆荧光体粒子，包含：含有荧光体的粒子和被覆所述粒子的表面的被覆部，

所述荧光体具有由通式M¹_aM²_bM³_cAl₃N_4－dO_d所示的组成，其中，M¹是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素，M²是选自Li和Na中的1种以上的元素，M³是选自Eu和Ce中的1种以上的元素，所述a、b、c和d满足下述各式：0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)＜0.30，

相对于所述表面被覆荧光体粒子整体，氟元素的含有率为15质量％～30质量％，

在以下的条件下测定得到的质量增加率为15％以下，

质量增加率测定条件：

将由所述表面被覆荧光体粒子构成的粉体的初始质量设为W1，将在温度60℃、湿度90％RH的条件下经过50小时后的该粉体的质量设为W2，以(W2－W1)/W1×100(％)的形式算出质量增加率。

2.根据权利要求1所述的表面被覆荧光体粒子，其中，所述被覆部构成所述粒子的最表面的至少一部分，并且包含含有氟元素的氟化合物。

3.根据权利要求1或2所述的表面被覆荧光体粒子，其中，所述被覆部包含含有氟元素和铝元素的氟化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面被覆荧光体粒子，其中，

所述M¹至少包含Sr，所述M²至少包含Li，所述M³至少包含Eu。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面被覆荧光体粒子，其中，对于波长300nm的光照射的扩散反射率为56％以上，对于荧光光谱的峰值波长的光照射的扩散反射率为85％以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的表面被覆荧光体粒子，其中，在利用波长455nm的蓝色光进行激发的情况下，峰值波长处于640nm～670nm的范围，半峰宽为45nm～60nm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的表面被覆荧光体粒子，其中，在利用波长455nm的蓝色光进行激发的情况下，在CIE－xy色度图中，发光色的颜色纯度的x值满足0.680≤x＜0.735。

8.一种表面被覆荧光体粒子的制造方法，是权利要求1～7中任一项所述的表面被覆荧光体粒子的制造方法，包括如下的工序：

混合原料的混合工序，

对利用所述混合工序得到的混合体进行烧制的烧制工序，以及

将利用所述烧制工序得到的烧制物和酸性溶液进行混合的酸处理工序；

在所述混合工序中，将所述Al的摩尔比设为3时，所述M¹的投入量以摩尔比计为1.10～1.20。

9.根据权利要求8所述的表面被覆荧光体粒子的制造方法，其中，在所述酸处理工序中，所述酸性溶液使用氟浓度为25％以上的氢氟酸水溶液。

10.一种发光装置，具有权利要求1～7中任一项所述的表面被覆荧光体粒子和发光元件。