[发明专利]表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置

说明书

本发明的表面被覆荧光体粒子包含：含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部，上述荧光体具有由通式M¹_aM²_bM³_cAl₃N_4－dO_d(其中，M¹是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素，M²是选自Li和Na中的1种以上的元素，M³是选自Eu和Ce中的1种以上的元素)所示的组成，上述a、b、c和d满足下述各式：0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)＜0.30，相对于表面被覆荧光体粒子整体，氟元素的含有率为15质量％～30质量％，在规定的条件下测定得到的质量增加率为15％以下。

技术领域

本发明涉及一种表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法和发光装置。

背景技术

组合发光二极管(LED)和荧光体而形成的发光装置广泛用于照明装置、液晶显示装置的背光灯等。特别是在液晶显示装置中使用发光装置的情况下，要求高的颜色再现性，因此期望使用荧光光谱的半值全宽度(以下，简称为“半峰宽”)窄的荧光体。

作为以往使用的半峰宽窄的红色荧光体，已知有用Eu²⁺激活的氮化物荧光体或氧氮化物荧光体。作为这些代表性的纯氮化物荧光体，有Sr₂Si₅N₈：Eu²⁺、CaAlSiN₃：Eu²⁺(简记为CASN)、(Ca，Sr)AlSiN₃：Eu²⁺(简记为SCASN)等。CASN荧光体和SCASN荧光体在610～680nm的范围具有峰值波长，其半峰宽为75nm～90nm，比较窄。然而，在将这些荧光体用作液晶显示用的发光装置的情况下，期望颜色再现范围进一步的扩大，期望半峰宽更窄的荧光体。

近年来，作为半峰宽显示70nm以下的窄带域的红色荧光体，已知有SrLiAl₃N₄：Eu²⁺(简记为SLAN)荧光体，应用该荧光体的发光装置可期待优异的显色性、颜色再现性。

专利文献1中公开了具有特定组成的SLAN荧光体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017－088881号公报

发明内容

SLAN荧光体具有与水接触时容易分解的性质。该性质成为随着时间经过发光强度降低的重要因素。近年来，对于使用了SLAN荧光体的发光装置的可靠性要求进一步的提高，对于SLAN荧光体的耐湿性也要求进一步的改善。

本发明人研究的结果表明：对于包含SLAN荧光体、晶体结构与其类似的氮化物荧光体的粒子，详细的机理尚不确定，但通过将氟元素相对于其粒子整体的含量和高温高湿试验前后的质量增加率作为指标，从而可稳定地评价粒子的耐湿性，并且通过将所述氟元素的含量设为规定值以上以及将质量增加率设为规定值以下，从而可抑制暴露于水环境下的荧光强度的降低，即可提高耐湿性。