[发明专利]贯通电极基板、电子单元、贯通电极基板的制造方法以及电子单元的制造方法

说明书

本公开的实施方式中的贯通电极基板具备：基板，其具有第1面以及第2面，包含贯通该第1面和该第2面的贯通孔；以及贯通电极，其配置在贯通孔的内部。贯通电极包含：在第1面侧堵塞该贯通孔的第1部分；以及沿着贯通孔的内侧面配置的第2部分。在第1部分中沿着与第1面垂直的方向最薄的部分具有厚度A，在第2部分中最薄的第2部分具有厚度B，贯通孔的第1面中的直径具有长度C。满足A＜C＜A+B×2的关系。

技术领域

本公开涉及贯通电极基板。

背景技术

近年来，使用层叠了形成集成电路的半导体电路基板的三维安装技术。在这样的安装技术中，使用形成有贯通电极的基板。这样的基板也称为内插板(Interposer)。贯通电极通过在形成于基板的贯通孔配置导电体而形成。伴有所安装的电路的高集成化，在贯通电极基板中也要求高集成化。例如，开发了通过与设置有贯通孔的部分重叠地配置布线部，将布线部和贯通电极高效地连接的技术。

贯通电极包含由不填充贯通孔的内部的导电体形成的保形电极(保形通孔)和填充贯通孔的内部的填充型的电极(填充通孔)。在保形的情况下，由于不存在填充贯通电极的内部的电极，能够使制造成本减少，或者使由贯通电极引起的应力减少。另一方面，由于无法与设置有贯通孔的部分重叠地配置布线部，因此在高集成化中伴有设计的困难性。在专利文献1中公开了即使在保形的贯通电极中，也将导电体配置为堵塞贯通孔的基板表面侧的技术。由此，公开了在基板的至少一面侧高效地配置布线部而使高集成化变得容易的技术。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/209296号

专利文献2：日本特开2008-227433号公报

专利文献3：国际公开第2011/127041号

发明内容

根据专利文献1，实现了贯通电极基板的高集成化，但在将布线部和贯通电极连接的部分中，有时对贯通电极要求更高的强度。

本公开的一个实施方式的目的在于，提高贯通电极基板中的贯通电极的强度。

根据本公开的一个实施方式，提供一种贯通电极基板，具备：基板，其具有第1面以及第2面，包含贯通该第1面和该第2面之间的贯通孔；以及贯通电极，其配置在所述贯通孔的内部，所述贯通电极包含：在所述第1面侧堵塞该贯通孔的第1部分；以及沿着所述贯通孔的内侧面配置的第2部分，在所述第1部分中沿着与所述第1面垂直的方向最薄的部分具有厚度A，在所述第2部分中最薄的部分具有厚度B，所述贯通孔的所述第1面中的直径具有长度C，满足A＜C＜A+B×2的关系。

也可以是，所述第1部分包含所述第1部分的厚度越远离所述贯通孔的中心轴越变厚的部分。

根据本公开的一个实施方式，提供一种贯通电极基板，具备：

基板，其具有第1面以及第2面，包含贯通该第1面和该第2面之间的贯通孔；以及

贯通电极，其配置在所述贯通孔的内部，

所述贯通电极包含：在所述第1面侧堵塞该贯通孔的第1部分；以及沿着所述贯通孔的内侧面配置的第2部分，

所述第1部分包含沿着与所述第1面垂直的方向的所述第1部分的厚度越远离所述贯通孔的中心轴越变厚的部分。

也可以是，在包含所述贯通孔的中心轴的剖面观察的情况下，位于所述贯通孔的内部侧的所述第1部分的表面在所述第1部分的最薄的部分处具有最大的曲率。

也可以是，在所述第1部分中最薄的部分位于与所述贯通孔的中心轴对应的位置。