[发明专利]包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

导电栅极；所述导电栅极包含大致包封第二含金属材料的第一含金属材料；所述第一和第二含金属材料的结晶度不同于彼此，所述第二含金属材料具有大于所述第一含金属材料的均值晶粒大小的均值晶粒大小；

与所述导电栅极相邻的电荷阻挡区；

与所述电荷阻挡区相邻的电荷存储区；

与所述电荷存储区相邻的隧穿材料；和

与所述隧穿材料相邻的沟道材料，所述隧穿材料处于所述沟道材料和所述电荷存储区之间。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料具有小于或等于约10nm的均值晶粒大小。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料为大致非晶型。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料是连续的。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料不连续。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料沿着横截面具有从约到约的范围内的厚度。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料沿着突变界面相接。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料沿着梯度相接。

10.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料的组成物彼此相同。

11.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一和第二含金属材料的组成物相对于彼此不同。

12.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料包括与氮、碳、锗、硅和氧中的一或多种组合的一或多种金属。

13.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述一或多种金属包含钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍和铝中的一或多种。

14.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述一或多种金属包含钨和钛中的一种或两种。

15.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料包括一或多种金属氮化物。

16.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一含金属材料包括氮化钨和氮化钛中的一种或两种。

17.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二含金属材料包括钨、钽、钛、钌、钼、钴、镍、铝、铜、铂和钯中的一或多种。

18.一种组合件，其包括：

交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠，所述字线层级包括导电区；所述导电区包含与第二含金属材料的外周边相邻的第一含金属材料；所述第一和第二含金属材料的结晶度和组成物不同于彼此；所述第二含金属材料具有大于所述第一含金属材料的均值晶粒大小的均值晶粒大小；

与所述导电区相邻的电荷存储区；和

处于所述电荷存储区和所述导电区之间的电荷阻挡区。

19.根据权利要求18所述的组合件，其中所述字线层级中的每一个沿着横截面具有在从约5nm到约50nm的范围内的总厚度；且其中所述第一含金属材料沿着所述横截面具有在从所述总厚度的约5％到所述总厚度的约25％的范围内的厚度。