[发明专利]包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件

说明书

一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。电荷存储区与所述字线层级相邻。电荷阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。

相关专利数据

本专利主张2019年4月15日申请的第16/383,862号美国专利申请案的优先权，所述专利申请案的公开内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及包含具有第一含金属材料的字线的组合件(例如，NAND存储器架构)，所述第一含金属材料至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度。

背景技术

存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是快闪存储器的基本架构，且可配置成包括竖直堆叠的存储器单元。

在具体地描述NAND之前，可能有帮助的是更一般化地描述集成布置内的存储器阵列的关系。图1示出现有技术装置1000的框图，其包含与存取线1004(例如，传导信号WL0到WLm的字线)和第一数据线1006(例如，传导信号BL0到BLn的位线)一起布置成行和列的多个存储器单元1003的存储器阵列1002。存取线1004和第一数据线1006可用于传送信息进出存储器单元1003。行解码器1007和列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A0到AX以确定将存取存储器单元1003的哪些存储器单元。感测放大器电路1015用以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002和输入/输出(I/O)线1005之间传送信息值。I/O线1005上的信号DQ0到DQN可表示从读取或将写入到存储器单元1003中的信息的值。其它装置可通过I/O线1005、地址线1009或控制线1020与装置1000通信。存储器控制单元1018用以控制将对存储器单元1003执行的存储器操作，并且使用控制线1020上的信号。装置1000可接收分别在第一供应线1030和第二供应线1032上的供应电压信号Vcc和Vss。装置1000包含选择电路1040和输入/输出(I/O)电路1017。选择电路1040可经由I/O电路1017对信号CSEL1到CSELn作出响应，以选择第一数据线1006和第二数据线1013上可表示将从存储器单元1003读取或将编程到存储器单元1003中的信息的值的信号。列解码器1008可基于地址线1009上的A0到AX地址信号，选择性地激活CSEL1到CSELn信号。选择电路1040可选择第一数据线1006和第二数据线1013上的信号以在读取和编程操作期间提供存储器阵列1002和I/O电路1017之间的通信。