[发明专利]接合体及弹性波元件

说明书

本发明提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。接合体9A具备：支撑基板6、压电性材料基板1A、以及支撑基板与压电性材料基板之间的多层膜22。多层膜22具备按以下顺序具有第一层3、第二层7A、第三层3以及第四层7A的层叠结构2。第一层3及第三层3包含硅氧化物，第二层7A及第四层7B包含金属氧化物。第二层7A的折射率高于第一层3的折射率及第三层3的折射率。第二层7A的折射率与第四层7B的折射率不同。

技术领域

本发明涉及压电性材料基板与支撑基板的接合体及弹性波元件。

背景技术

已知移动电话等中所使用的能够作为滤光元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。

在将压电基板与硅基板接合时，已知在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接键合(专利文献1)。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接键合(等离子体活化法)。

另外，已知所谓的FAB(Fast Atom Beam)方式的直接键合法(专利文献2)。在该方法中，在常温下对各接合面照射中性化原子束来进行活化，实施直接键合。

另外，提出了如下方案，即，在压电性单晶基板与支撑基板之间设置包含Ta₂O₅等的中间层，对中间层和支撑基板分别照射中性束，由此使表面活化，实施直接键合(专利文献3)。

专利文献4中，提出了如下结构，即，在支撑基板与压电性材料基板之间设置有将多个SiO₂层或Ta₂O₅层进行层叠得到的多层膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7213314B2

专利文献2：日本特开2014－086400

专利文献3：WO2017/163722A1

专利文献4：WO2018/154950 A1

发明内容

对于专利文献3的弹性波元件，在面向中频率(面向0.7～3.5GHz的4G等)的情况下，发现Q值等特性改善。但是，在面向高频率(面向3.5～6GHz的5G等)的情况下，得知Q值的改善较少。

另外，像专利文献4中所记载那样，在支撑基板与压电性材料基板之间插入有SiO₂/Ta₂O₅的多层膜的弹性波元件中，将从压电性材料基板朝向支撑基板漏出的弹性波利用多层膜进行反射，实现了损耗降低。但是，判明：在面向高频率(面向3.5～6GHz的5G等)的情况下，即便是这种弹性波元件，Q值的提高也未必充分。

本发明的课题在于：提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。

本发明的特征在于，具备：

支撑基板、

压电性材料基板、以及

所述支撑基板与所述压电性材料基板之间的多层膜，

所述多层膜具备按以下顺序具有第一层、第二层、第三层以及第四层的层叠结构，