[发明专利]高密度、受控的集成电路工厂在审
申请号: | 202080029571.1 | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN113692643A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 索斯藤·利尔;马里施·格雷戈尔;坎迪·克里斯托弗森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 受控 集成电路 工厂 | ||
1.一种集成电路制造工厂,包括:
用于处理集成电路的多个处理模块,其中所述多个处理模块定位在所述工厂的地面,并且其中所述多个处理模块占用所述工厂的多于一半的所述地面;以及
所述工厂的所述地面的未占用空间,其中所述未占用空间小于所述工厂的所述地面的一半。
2.根据权利要求1所述的集成电路制造工厂,其中所述未占用空间包括多个定位在所述工厂的所述地面上的服务区;和多个定位在所述工厂的所述地面上的装载区。
3.根据权利要求2所述的集成电路制造工厂,其中每个所述处理模块包括服务侧和装载侧。
4.根据权利要求2所述的集成电路制造工厂,其中每个所述处理模块的所述服务侧和所述装载侧位于所述处理模块的不同侧上。
5.根据权利要求4所述的集成电路制造工厂,其中所述服务侧与所述装载侧成90度定位。
6.根据权利要求3所述的集成电路制造工厂,其中服务区具有面向所述服务区的至少两个服务侧,其中所述至少两个服务侧包括第一处理模块的第一服务侧和第二处理模块的第二服务侧。
7.根据权利要求3所述的集成电路制造工厂,其中装载区具有面向所述装载区的至少两个装载侧,其中所述至少两个装载侧包括第一处理模块的第一装载侧和第二处理模块的第二装载侧。
8.根据权利要求2所述的集成电路制造工厂,还包括跨越所述工厂的架空线,其中所述架空线定位在所述处理模块上方,用于跨所述工厂转移物品。
9.根据权利要求8所述的集成电路制造工厂,其中所述架空线包括至少一条服务架空线和至少一条晶片转移架空线,其中所述至少一条服务架空线被配置为将服务物品转移到服务区和从所述服务区转移所述服务物品,并且所述至少一条晶片转移架空线被配置为将可移动真空转移模块转移到装载区和从所述装载区转移所述可移动真空转移模块。
10.根据权利要求9所述的集成电路制造工厂,其中所述可移动真空转移模块被配置为与处理模块对接。
11.根据权利要求9所述的集成电路制造工厂,其中所述可移动真空转移模块中的每一个都配置为沿晶片转移架空线在处理模块之间在真空中运输晶片。
12.根据权利要求2所述的集成电路制造工厂,还包括在所述地面下方的底层地面,其中服务升降机可以沿着所述底层地面上的支巷行进,所述支巷定位在所述服务区和所述装载区下方。
13.根据权利要求12所述的集成电路制造工厂,其中可以从所述底层地面提升所述服务升降机以服务处理模块。
14.一种集成电路制造工厂,包括:
用于处理集成电路的多个处理模块,其中所述多个处理模块定位在所述工厂的地面上;以及
所述工厂的所述地面的未占用空间,其中所述未占用空间包括多个定位在所述工厂的所述地面上的服务区,和多个定位在所述工厂的所述地面上的装载区。
15.根据权利要求14所述的集成电路制造工厂,其中每个服务区被配置为服务至少两个不同的处理模块。
16.根据权利要求15所述的集成电路制造工厂,其中至少一个服务区被配置为服务四个处理模块。
17.根据权利要求14所述的集成电路制造工厂,其中每个装载区被配置为将晶片装载到多于一个的处理模块,和从所述多于一个的处理模块卸载所述晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造