[发明专利]压力传感器

说明书

压力传感器具备：芯柱(10)，形成有供压力介质被导入的压力导入孔，并且形成有能够根据压力介质的压力而变形的隔膜(13)；应变检测元件(30)，隔着绝缘膜(20)被配置在隔膜(13)上，输出与隔膜(13)的变形相应的检测信号。应变检测元件(30)构成为具有由多晶硅构成的部分。而且，在绝缘膜(20)与应变检测元件(30)之间配置有低掺杂层(23)，低掺杂层(23)的电阻率比多晶硅高，并且结晶性比绝缘膜提高。

对相关申请的交叉引用

本申请以在2019年4月26日提出申请的第2019－85904号日本专利申请以及在2020年4月10日提出申请的第2020－71350号日本专利申请为基础，并且其记载内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及在芯柱上形成有应变检测元件的压力传感器。

背景技术

以往曾提出了在芯柱上形成有应变检测元件的压力传感器(例如参照专利文献1)。具体而言，在该压力传感器中，芯柱的一端部被设为开口部以便压力介质被导入，另一端部侧被设为能够根据压力介质的压力而变形的隔膜。而且，在隔膜上形成有应变检测元件，应变检测元件具有通过变形使电阻值变化的计量表电阻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－249520号公报

发明内容

然而，近年来期望在上述那样的压力传感器中进一步提高可靠性。

本公开的目的是提供一种能够提高可靠性的压力传感器。

根据本公开的一个观点，压力传感器具备：芯柱，形成有供压力介质被导入的压力导入孔，并且形成有能够根据压力介质的压力而变形的隔膜；应变检测元件，隔着绝缘膜被配置在隔膜上，输出与隔膜的变形相应的检测信号，应变检测元件具有由多晶硅构成的部分，在绝缘膜与应变检测元件之间配置有低掺杂层，低掺杂层的电阻率比多晶硅高，并且结晶性比绝缘膜提高。

据此，在绝缘膜与应变检测元件之间配置有低掺杂层。因此，与将应变检测元件直接形成于绝缘膜上的情况相比，能够减小在低掺杂层与应变检测元件之间形成的非晶体层。另外，虽然在低掺杂层与绝缘膜之间形成有非晶体层，但该非晶体层的延迟弹性带来的影响通过低掺杂层得到缓解，难以传递至应变检测元件。而且，低掺杂层由电阻率比多晶硅高的材料构成。因此，即使是在低掺杂层与绝缘膜之间形成有非晶体层，非晶体层的延迟弹性带来的影响波及到低掺杂层时，也能够减小与应变检测元件相关的影响。因而，能够抑制应变检测元件的特性变化，提高压力传感器的可靠性。

另外，对各构成要素等赋予的带括号的参照附图标记，是表示该构成要素等与在后述的实施方式中所记载的具体构成要素等的对应关系的一个例子。

附图说明

图1是表示第一实施方式中的压力传感器的整体结构的图。

图2是图1中的隔膜附近的放大图。

图3A是用于说明未形成有薄壁部的芯柱的变形的图。

图3B是用于说明形成有薄壁部的芯柱的变形的图。

图3C是用于说明形成有薄壁部及对位部的芯柱的变形的图。

图4是第二实施方式中的隔膜附近的放大图。

图5是表示第二实施方式中的应变检测元件的平面形状的图。

图6是沿着图5中的VI－VI线的剖面图。

图7是第二实施方式中的应变检测元件的电路图。

图8是表示第三实施方式中的应变检测元件的平面形状的图。