[发明专利]发光粒子的制造方法、发光粒子、发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件有效
申请号: | 202080031716.1 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN113748185B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 延藤浩一;梅津安男;青木良夫;平田真一;林卓央;堀口雅弘;堀米操;袁建军 | 申请(专利权)人: | DIC株式会社 |
主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;B82Y20/00;B82Y40/00;C08F2/50;C09D11/037;H05B33/14 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;张默 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 粒子 制造 方法 散体 油墨 组合 元件 | ||
1.一种发光粒子的制造方法,其特征在于,具有:
工序1,其通过将包含半导体纳米晶体的原料化合物的溶液、与包含含有Si且具有可形成硅氧烷键的反应性基的化合物的溶液加以混合,从而析出具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体,并且使所述化合物配位于该半导体纳米晶体的表面,然后,使配位的所述化合物中的所述反应性基缩合,从而获得在所述半导体纳米晶体的表面形成了具有所述硅氧烷键的表面层的母粒子;及
工序2,其接下来用疏水性聚合物被覆所述母粒子的表面而形成聚合物层,
所述疏水性聚合物进行了交联。
2.根据权利要求1所述的发光粒子的制造方法,其中,所述半导体纳米晶体的平均粒径为40nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法,其中,所述表面层的厚度为0.5~50nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法,其中,具有所述反应性基的化合物具有与所述半导体纳米晶体所包含的阳离子结合的结合性基。
5.根据权利要求4所述的发光粒子的制造方法,其中,所述结合性基是羧基、巯基及氨基中的至少1种。
6.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法,其中,所述聚合物层的厚度为0.5~100nm。
7.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法,其中,所述疏水性聚合物是将可溶于非水溶剂且聚合后变为不溶或难溶的至少1种聚合性不饱和单体与可溶于非水溶剂的具有聚合性不饱和基的聚合物一并载持于所述母粒子的表面后,使所述聚合物与所述聚合性不饱和单体进行聚合而获得。
8.根据权利要求7所述的发光粒子的制造方法,其中,所述非水溶剂包含脂肪族烃系溶剂及脂环式烃系溶剂的至少一者。
9.一种发光粒子,其特征在于,具有:母粒子,其包含具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体、及以配位于该半导体纳米晶体的表面的配位子构成且该配位子的分子彼此形成硅氧烷键的表面层;及
聚合物层,其被覆该母粒子的表面,且以疏水性聚合物构成,
所述疏水性聚合物进行了交联。
10.根据权利要求9所述的发光粒子,其中,所述疏水性聚合物是可溶于非水溶剂且聚合后变为不溶或难溶的至少1种聚合性不饱和单体与可溶于非水溶剂的具有聚合性不饱和基的聚合物的聚合物。
11.一种发光粒子分散体,其特征在于,含有权利要求9或10所述的发光粒子、及分散该发光粒子的分散介质。
12.一种油墨组合物,其特征在于,含有权利要求9或10所述的发光粒子、光聚合性化合物及光聚合引发剂。
13.根据权利要求12所述的油墨组合物,其中,所述光聚合性化合物为光自由基聚合性化合物。
14.根据权利要求12或13所述的油墨组合物,其中,所述光聚合引发剂是选自由烷基苯酮系化合物、酰基氧化膦系化合物及肟酯系化合物所组成的组中的至少1种。
15.一种发光元件,其特征在于,具有包含根据权利要求9或10所述的发光粒子的发光层。
16.根据权利要求15所述的发光元件,其进一步具有对所述发光层照射光的光源部。
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