[发明专利]发光粒子的制造方法、发光粒子、发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件

说明书

提供一种具有发光特性优异的钙钛矿型半导体纳米晶体且稳定性高的发光粒子及其制造方法、以及包含该发光粒子的发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件。本发明的发光粒子的制造方法的特征在于，具有：准备母粒子91的工序，该母粒子91包含具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体911、及以配位于半导体纳米晶体911的表面的配位子构成且配位子的分子彼此形成硅氧烷键的表面层912；及用疏水性聚合物被覆母粒子91的表面而形成聚合物层93的工序。

技术领域

本发明关于一种发光粒子的制造方法、发光粒子、发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件。

现有技术

下一代的显示元件所要求的国际标准BT.2020(Broadcasting service 2020，广播服务2020)是极具野心的标准，即便是目前的使用颜料的滤色器、有机EL，也难以满足该标准。

另一方面，具有发光性的半导体纳米晶体是发出发光波长的半值宽度窄的荧光或磷光的材料，作为可满足BT.2020的材料而备受注目。在初期，使用CdSe等作为半导体纳米晶体，但为了避免其有害性，最近使用InP等。

然而，InP的稳定性低，以稳定化的提升为目的，积极地进行着研究。另外，InP等半导体纳米晶体由于发光波长由其粒子尺寸决定，因而为了获得半值宽度窄的发光，必须精密控制粒径的分散，其生产方面存在较多的问题。

近年来，发现了具有钙钛矿型晶体结构的半导体纳米晶体，且备受注目(例如参照专利文献1)。一般的钙钛矿型半导体纳米晶体是CsPbX₃(X表示Cl、Br或I)所表示的化合物。关于钙钛矿型半导体纳米晶体，除了调整其粒子尺寸以外、还可调整卤素原子的存在比例，从而能够控制发光波长。由于该调整操作可简便地进行，因而钙钛矿型半导体纳米晶体与InP等半导体纳米晶体相比，具有更容易控制发光波长，因此生产性高的特征。

如此，钙钛矿型半导体纳米晶体虽具有极其优异的发光特性，但存在容易因氧、水分、热等而不稳定化等问题。因此，对于钙钛矿型半导体纳米晶体，必须通过某些方法来提高其稳定性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-222851号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种具有发光特性优异的钙钛矿型半导体纳米晶体且稳定性高的发光粒子及其制造方法、以及包含该发光粒子的发光粒子分散体、油墨组合物及发光元件。

用于解决课题的方法

这样的目的可通过下述(1)～(16)的本发明来达成。

(1)一种发光粒子的制造方法，其特征在于，具有：工序1，其将包含半导体纳米晶体的原料化合物的溶液、与包含含有Si且具有可形成硅氧烷键的反应性基的化合物的溶液加以混合，从而析出具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体，并且使上述化合物配位于该半导体纳米晶体的表面，然后，使配位的上述化合物中的上述反应性基缩合，从而获得在上述半导体纳米晶体的表面形成了具有上述硅氧烷键的表面层的母粒子；及

工序2，其接下来用疏水性聚合物被覆上述母粒子的表面而形成聚合物层。

(2)如上述(1)所记载的发光粒子的制造方法，其中，上述半导体纳米晶体的平均粒径为40nm以下。

(3)如上述(1)或(2)所记载的发光粒子的制造方法，其中，上述表面层的厚度为0.5～50nm。

(4)如上述(1)至(3)中任一项所记载的发光粒子的制造方法，其中，上述具有反应性基的化合物具有与上述半导体纳米晶体所包含的阳离子结合的结合性基。