[发明专利]单面抛光方法在审
| 申请号： | 202080032295.4 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113766994A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 铃木健汰;大关正彬 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/015 | 分类号： | B24B37/015;B24B37/12;B24B49/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单面 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单面抛光方法，其为使用抛光垫进行晶圆的表面的抛光的单面抛光方法，其特征在于，
监测所述抛光垫的温度变化，
从开始所述抛光时起以第一条件对所述晶圆的表面进行抛光；
在所述抛光垫的温度变化从上升变成下降的时间点，从所述第一条件切换成第二条件来对所述晶圆的表面进行抛光。
2.根据权利要求1所述的单面抛光方法，其特征在于，
将所述第一条件设为去除硅氧化膜的条件、将所述第二条件设为对硅晶圆进行抛光的条件来进行所述抛光。
3.根据权利要求1或2所述的单面抛光方法，其特征在于，
将所述第二条件设为浆料、抛光负载及抛光转速中的任意一个以上与所述第一条件不同的条件来进行所述抛光。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的单面抛光方法，其特征在于，
将所述第二条件中使用的浆料设为种类与所述第一条件中使用的浆料相同而浓度不同的浆料、或种类与所述第一条件中使用的浆料不同的浆料来进行所述抛光。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的单面抛光方法，其特征在于，
所述抛光垫的温度变化的监测以实时的方式进行。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的单面抛光方法，其特征在于，
根据装设所述抛光垫的平台的温度变化，检测所述抛光垫的温度变化。
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