[发明专利]单面抛光方法

说明书

本发明提供一种单面抛光方法，其为使用抛光垫进行晶圆的表面的抛光的单面抛光方法，其特征在于，监测所述抛光垫的温度变化，从开始所述抛光时起以第一条件对所述晶圆的表面进行抛光，在所述抛光垫的温度变化从上升变成下降的时间点，从所述第一条件切换成第二条件来对所述晶圆的表面进行抛光。由此，能够正确地检测出自然氧化膜已被去除从而抑制边缘塌边。

技术领域

本发明涉及一种单面抛光方法。

背景技术

在单面抛光中，在抛光的初始阶段首先进行形成于晶圆表面的自然氧化膜的去除，然后进行露出的晶圆表面(裸面)的抛光。在该抛光中，因近年来对质量的要求的提高，为了改善表面粗糙度或表面缺陷，有对浆料或抛光垫赋予提高了对晶圆的保护性的特性的趋势。另一方面，在使用具有该种特性的浆料或抛光垫的抛光中，随着对晶圆的保护性的增高，自然氧化膜的去除速率极度降低进而导致生产率的降低。即，适合于自然氧化膜的去除与裸面的抛光的条件并不相同(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-139311号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

因此，在单面抛光中，优选首先以适合于自然氧化膜的去除的条件进行该自然氧化膜的去除，然后以适合于裸面(例如裸硅)的抛光的条件对裸面进行抛光。此时，由于在适合于自然氧化膜的去除的条件下，对裸面的抛光速率通常会增高，因此为了抑制边缘塌边(edge roll-off)，需要在去除自然氧化膜后，迅速地切换成适合于裸面的抛光的条件。

然而，通常难以在抛光过程中即刻检测出膜厚极薄至纳米级的自然氧化膜的去除是否完成。因此，在以往的单面抛光中使用了下述方法：预先调查自然氧化膜的去除时间，将在该去除时间的基础上加上边限(margin)的时间作为氧化膜去除时间，先以适合于自然氧化膜的去除的条件进行该自然氧化膜的去除，经过了氧化膜去除时间后，以适合于裸硅的抛光的条件对裸面进行抛光。然而，在该抛光方法中，因抛光时的氛围温度或批次递移等，每批次的氧化膜去除时间会产生偏差，因而无法进行正确的控制，故而以良好的精度抑制边缘塌边有所局限。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提出一种通过正确地检测出自然氧化膜已被去除，从而可充分地抑制边缘塌边的单面抛光方法。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，本发明提供一种单面抛光方法，其为使用抛光垫进行晶圆的表面的抛光的单面抛光方法，其特征在于，监测所述抛光垫的温度变化，从开始所述抛光时起以第一条件对所述晶圆的表面进行抛光，在所述抛光垫的温度变化从上升变成下降的时间点，从所述第一条件切换成第二条件来对所述晶圆的表面进行抛光。

根据这种单面抛光方法，能够根据抛光垫的温度变化、即此时实际进行抛光的批次(晶圆)的状态，切换抛光配方。即，上述单面抛光方法不同于根据预先求出的氧化膜去除时间而一概进行抛光配方切换的情况，可正确地检测出每批次自然氧化膜被去除的时间点。因而，在单面抛光中，可以高精度且充分地抑制边缘塌边。

优选将所述第一条件设为去除硅氧化膜的条件、将所述第二条件设为对硅晶圆进行抛光的条件来进行所述抛光。

由此，由于在硅晶圆的抛光中，可正确地检测出形成于该硅晶圆的表面的自然氧化膜完成了去除，故而可改善硅晶圆的边缘塌边，谋求平坦特性的提高。

优选将所述第二条件设为浆料、抛光负载及抛光转速中的任意一个以上与所述第一条件不同的条件来进行所述抛光。

如此，通过浆料、抛光负载及抛光转速中的任意一个以上来进行抛光配方的切换，由此可顺利地从以第一条件进行的抛光(自然氧化膜的抛光)切换成以第二条件进行的抛光(对晶圆的裸面的抛光)。