[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

在衬底顶上形成导电层，所述导电层中包括开口；

在所述导电层顶上形成绝缘体层，所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料；

在所述绝缘体层上方形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠；以及

形成包括沟道材料的穿过所述绝缘层和所述字线层的串，所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述导电层和其中的开口包括：

将所述导电材料沉积在所述衬底顶上；以及

将所述开口蚀刻到所述沉积的导电材料中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体材料完全填充所述导电层中的所述开口。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层中的所述开口和其中的所述绝缘体材料包括竖直侧壁。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层中的所述开口和其中的所述绝缘体材料在其相应底部处比在其相应顶部处宽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层中的所述开口和其中的所述绝缘体材料在其相应顶部处比在其相应底部处宽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述串包括：

所述沟道材料，其竖向延伸穿过所述绝缘层和所述字线层；

绝缘电荷传递材料，其处于所述字线层中，在所述沟道材料的侧向外侧；

存储区，其处于所述字线层中，在所述绝缘电荷传递材料的侧向外侧；以及

电荷阻挡区，其处于所述字线层中，在所述存储区的侧向外侧；且

所述导电层中的所述开口中的多个开口和其中的所述绝缘体材料在所述串中的个别串的侧向外侧。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个开口包围所述个别串且数目至少是3。

9.根据权利要求8所述的方法，其中关于包围，所述多个开口由所述个别串中的侧向紧邻串共享。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个开口围绕所述个别串等距地间隔开。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个开口的数目至少是4。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述多个开口的数目至少是6。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个开口的数目仅为6。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述多个开口围绕所述个别串等距地间隔开；且

关于包围，所述多个开口由所述个别串中的侧向紧邻串共享。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体材料并不延伸穿过所述导电层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电层具有大于600埃的最大厚度，所述绝缘体材料延伸穿过不低于600埃的所述导电层。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述绝缘体材料延伸穿过不超过所述导电层的最大厚度的50％。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体材料延伸穿过所述导电层。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述串在各处与所述导电层中的所述开口和其中的所述绝缘体材料侧向间隔开。