[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

说明书

一种用于形成存储器阵列的方法包括在衬底顶上形成导电层，其中所述导电层中包括开口。绝缘体层在所述导电层顶上形成，且所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在所述绝缘体层上方。形成包括沟道材料的延伸穿过所述绝缘层和所述字线层的串。所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料。公开了与方法无关的结构。

技术领域

本文公开的实施例涉及存储器阵列且涉及用于形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每个存储器单元可通过感测线和存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长的时间段。非易失性存储器在常规上被指定为具有至少约10年保留时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两个不同的可选择状态保持或存储存储内容。在二进制系统中，所述状态被视作“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个层级或状态的信息。

场效应晶体管是一种可用于存储器单元中的电子部件。这些晶体管包括其间具有半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分开。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到另一者。当从栅极移除电压时，电流在很大程度上被阻止流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆可编程电荷存储区。

快闪存储器是一种存储器，且大量用于现代计算机和装置中。例如，现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成快闪存储器的基本架构。NAND单元装置包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(且所述串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可按三维布置配置，其包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元分别包括可逆可编程竖直晶体管。控制件或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元之下。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括分别包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的处于处理中的衬底的一部分的概略横截面图，且穿过图2中的线1-1截取。

图2是穿过图1中的线2-2截取的概略横截面图。

图3-19是根据本发明的一些实施例的处于处理中的图1的构造的概略性依序截面和/或放大视图。

图20和21是根据本发明的一些实施例的在处理中的衬底的一部分的概略横截面图。

具体实施方式

本发明的实施例涵盖用于形成存储器阵列的方法，所述存储器阵列例如是在阵列下方具有外围控制电路系统(例如，阵列下CMOS(CMOS-under-array))的NAND或其它存储器单元的阵列。本发明的实施例涵盖所谓的“后栅”或“替换栅”处理、所谓的“先栅”处理，以及不论是现有的还是未来开发的与晶体管栅极的形成时间无关的其它处理。本发明的实施例还涵盖一种与制造方法无关的存储器阵列(例如NAND架构)。参考可视为“后栅”或“替换栅”过程的图1-19来描述第一实例方法实施例。