[发明专利]使用支撑板移除一条的一个或多个装置的方法在审
申请号: | 202080033069.8 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN113767452A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 神川刚;S.甘德罗图拉;M.阿拉基 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 崔抗 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 支撑 一条 一个 装置 方法 | ||
一种使用支撑板从衬底移除装置的方法。由半导体层构成的一个或多个条形成在衬底上,并且一个或多个装置结构形成在条上。至少一个支撑板接合到条,并且将应力施加到支撑板以将条从衬底移除。支撑板用于在条被从衬底移除之后将条划分为一个或多个装置单元,其中装置单元被封装并布置为一个或多个模块。支撑板还可以用于在将条从衬底移除之后制造装置结构中的一个或多个的劈裂分面。
相关申请的交叉引用
本申请根据35 U.S.C.119(e)节要求以下共同待决且共同受让的申请的权益:
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Masahiro Araki提交于2019年3月12日的题为“METHOD FOR REMOVING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES USING SUPPORTINGPLATES”的美国临时申请序列No.62/817,216(代理人案号GC 30794.0724USP1(UC 2019-416-1));
该申请通过引用并入本文。
本申请涉及以下共同待决且共同受让的申请:
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen提交于2019年的10月24日的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”的美国发明专利申请No.16/608,071(代理人案号30794.0653USWO(UC 2017-621-1)),该申请依据35U.S.C.365(c)节要求共同待决且共同受让的Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、HongjianLi和Daniel A.Cohen提交于2018年5月7日的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”的PCT国际专利申请No.PCT/US18/31393的权益(代理人案号30794.0653WOU1(UC 2017-621-2)),该申请依据35U.S.C.119(e)节要求共同待决且共同受让的Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen提交于2017年5月5日的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”的美国临时专利申请No.62/502,205的权益(代理人案号30794.0653USP1(UC 2017-621-1));
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li提交于2020年2月20日的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE”的美国发明专利申请No.16/642,298(代理人案号30794.0659USWO(UC 2018-086-2)),该申请依据35U.S.C.365(c)节要求共同待决且共同受让的Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li提交于2018年9月17日的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE”的PCT国际专利申请No.PCT/US18/51375的权益(代理人案号30794.0659WOU1(UC 2018-086-2)),该申请依据35U.S.C.119(e)节要求共同待决且共同受让的Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li提交于2017年9月15日的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE”的美国临时专利申请No.62/559,378的权益(代理人案号30794.0659USP1(UC 2018-086-1));
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造