[发明专利]具有延伸穿过交替材料的堆叠的导电柱的集成组合件

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

导电宽阔区，其在导电节点上方；所述导电节点包括第一组合物；所述导电宽阔区的底部表面包括是不同于所述第一组合物的组合物的第二组合物；

堆叠，其在所述导电宽阔区上方；所述堆叠包括交替的第一层级及第二层级；以及

支柱结构，其垂直地延伸穿过所述堆叠；所述支柱结构中的每一者包括由绝缘衬里横向环绕的导电材料柱；所述导电材料包括所述第一组合物；所述柱中的一或多者延伸穿过所述导电宽阔区以直接接触所述导电节点中的一或多者。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一层级是NAND字线层级，且其中所述第二层级是绝缘层级。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述NAND字线层级包含金属，且其中所述绝缘层级包含二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电宽阔区及所述堆叠是在第一层次内；且其中直接接触的所述导电节点中的至少一者与在所述第一层次下方的第二层次的电路系统耦合。

5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述第二层次的所述电路系统包含CMOS电路系统。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述堆叠包含存储器阵列区域、邻近所述存储器阵列区域的阶梯区域及邻近所述存储器阵列区域的外围区域；其中所述支柱结构中的第一组延伸穿过所述存储器阵列区域，所述支柱结构中的第二组延伸穿过所述外围区域，且所述支柱结构中的第三组延伸穿过所述阶梯区域。

7.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述存储器阵列区域包含彼此上下地堆叠的存储器层级的至少两个叠组。

8.根据权利要求6所述的集成组合件，其中来自所述支柱结构中的所述第一组的所述柱、来自所述支柱结构中的所述第二组的所述柱及来自所述支柱结构中的所述第三组的所述柱在延伸穿过所述导电宽阔区的所述柱中的所述一或多者当中。

9.根据权利要求6所述的集成组合件，其中仅来自所述支柱结构中的所述第一组及所述第二组的所述柱在延伸穿过所述导电宽阔区的所述柱中的所述一或多者当中。

10.根据权利要求1所述的集成组合件，其进一步包括环绕延伸穿过所述导电宽阔区的所述柱中的所述一或多者的区域的卡圈；所述区域紧接在所述导电宽阔区的所述底部表面下面。

11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述卡圈包括不同于所述第一组合物及所述第二组合物的第三组合物。

12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中：

所述第一组合物基本上由钨组成；

所述第二组合物包括硅化钨；且

所述第三组合物包括金属硅化物、金属碳化物及金属氮化物中的一或多者。

13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第三组合物包括氮化钛。

14.一种集成组合件，其包括：

导电宽阔区，其在导电节点上方；所述导电节点包括第一组合物；所述导电宽阔区的底部表面包括不同于所述第一组合物的第二组合物；

堆叠，其在所述导电宽阔区上方；所述堆叠包括交替的第一层级及第二层级；所述堆叠包含存储器阵列区域、邻近所述存储器阵列区域的阶梯区域及邻近所述存储器阵列区域的外围区域；所述导电节点中的第一组位于所述存储器阵列区域下方；以及

支柱结构，其垂直地延伸穿过所述堆叠；所述支柱结构中的每一者包括由绝缘衬里横向环绕的导电材料柱；所述支柱结构中的第一组延伸穿过所述存储器阵列区域，所述支柱结构中的第二组延伸穿过所述外围区域，且所述支柱结构中的第三组延伸穿过所述阶梯区域；所述支柱结构的所述第一组的所述柱延伸穿过所述导电宽阔区以直接接触所述导电节点中的所述第一组。