[发明专利]闭回路多输出射频(RF)匹配

权利要求书

1.一种用于提供信号至处理室的站的设备，所述处理室被配置成执行半导体加工处理，所述设备包含：

多个信号产生器，其被配置成产生具有第一和第二频率的信号；

测量电路，其被配置成测量电压驻波比(VSWR)；以及

匹配反射优化器，其具有电抗组件，所述电抗组件被配置成响应于来自所述测量电路的输出信号而被调整。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电抗组件被配置成进行调整，以将所测量的所述VSWR从第一值修改为第二值。

3.根据权利要求1所述的设备，其中用于测量所述VSWR的所述测量电路对应于相敏电压/电流测量电路。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电抗组件对应于可变电容器。

5.根据权利要求1所述的设备，其还包含第二测量电路，其用于在所述站的一或更多输入端口处测量第二VSWR。

6.根据权利要求1所述的设备，其还包含隔离RF滤波器，其用于在所述设备的高频与低频部分之间提供介于25至40dB之间的隔离度。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述匹配反射优化器被配置成使所述VSWR降低至小于阈值的值。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述VSWR的所述阈值对应于1.15:1。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述VSWR的所述阈值对应于1.10:1。

10.一种将多个信号从相应数量的信号产生器耦合至处理室的多个站的方法，其包含：

在功率分配器的输入端口处测量电压驻波比(VSWR)；以及

响应于所测量的所述VSWR，对匹配反射优化器的电抗组件的值进行调整，对所述电抗组件进行调整以产生低于第一阈值的第二VSWR。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电抗组件包含可变电容器。

12.根据权利要求10所述的方法，其中调整所述VSWR包含：使所述VSWR降低至小于1.15:1的值。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述测量包含：对具有约400kHz的第一频率的第一信号与具有约27.12MHz的第二频率的第二信号的所述VSWR进行测量。

14.根据权利要求13所述的方法，其还包含：在所述多个信号产生器中的所述第一频率的信号产生器处使具有所述第二频率的所述信号衰减25至40dB之间的量。

15.根据权利要求10所述的方法，其还包含：

在所述处理室的所述多个站中的一或多者的输入端口处测量VSWR；以及

对RF功率控制电路的电抗组件的值进行调整，对所述RF功率控制电路的所述电抗组件进行调整以产生低于第二阈值的VSWR。

16.根据权利要求10所述的方法，其还包含：对pi-匹配电路的电抗组件的值进行调整，以使得在360kHz至440kHz之间的第一频率下的信号的所述VSWR降低。

17.根据权利要求10所述的方法，其还包含：对L-匹配电路的电抗组件的所述值进行调整，以在约26.5MHz至约27.5MHz之间的第二频率下使所述VSWR降低。