[发明专利]质谱分析方法和质谱分析装置在审

专利信息
申请号: 202080034674.7 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN113826187A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 高桥秀典 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: H01J49/42 分类号: H01J49/42;G01N27/62
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 谱分析 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种质谱分析方法,其为由源自具有烃链的试样成分的前体离子生成产物离子并进行质谱分析的质谱分析方法,其中,

对于所述前体离子,照射氧自由基或羟基自由基且照射氧化氮自由基而生成产物离子,

将所述产物离子根据质荷比进行分离并检测,

基于所述检测的产物离子的质荷比来推断所述烃链的结构。

2.一种质谱分析装置,其为由源自具有烃链的试样成分的前体离子生成产物离子并进行质谱分析的质谱分析装置,其具备:

反应室,其用于导入所述前体离子;

自由基生成部,其用于生成氧自由基或羟基自由基且生成氧化氮自由基;

自由基照射部,其用于对导入至所述反应室中的前体离子照射所述氧自由基或羟基自由基且照射所述氧化氮自由基;以及

分离检测部,其用于将通过与所述氧自由基或羟基自由基的反应以及与所述氧化氮自由基的反应而由所述前体离子生成的产物离子根据质荷比进行分离并检测。

3.根据权利要求2所述的质谱分析装置,其还具备:

结构推断部,其用于提取所述检测的产物离子之中质量差为29Da或31Da的产物离子的组,并推断所述烃链中包含的不饱和键的位置。

4.根据权利要求3所述的质谱分析装置,其中,所述试样成分是在烃链中键合结构或结构候选已知的物质而成的,所述质谱分析装置还具备收录有与所述结构或结构候选有关的信息的化合物数据库,

所述结构推断部根据所述检测的产物离子的质荷比、以及收录于所述化合物数据库的与所述结构或结构候选有关的信息来推断所述试样成分的结构。

5.根据权利要求3所述的质谱分析装置,其中,所述结构推断部根据在该前体离子上加成氧原子而成的加合离子即产物离子的强度相对于所述前体离子的强度之比,推断所述试样成分所具有的烃链中所含的不饱和键的构型。

6.根据权利要求5所述的质谱分析装置,其还具备化合物数据库,其收集记录有与作为所述试样成分中所含的烃链的候选的多个成分有关的所述比的信息,

所述结构推断部通过将由所述试样成分的测定所得到的所述比与收录于所述化合物数据库的比进行比较,从而推断所述试样成分所具有的烃链中所含的不饱和键的构型。

7.根据权利要求6所述的质谱分析装置,其中,在所述化合物数据库中,保存有与除了所述不饱和键的构型之外共通的顺式和反式的成分两者有关的所述比的信息,

所述结构推断部通过将由所述试样成分的测定所得到的所述比与收录于所述数据库的比进行比较,从而推断所述试样成分中所含的、具有顺式的不饱和键的成分和具有反式的不饱和键的成分的比例。

8.根据权利要求2所述的质谱分析装置,其中,所述自由基生成部由包含水蒸气、氮气和空气中至少1种的原料气体生成所述氧自由基和所述氧化氮自由基。

9.根据权利要求2所述的质谱分析装置,其中,所述自由基生成部具备:

自由基生成室;

真空排气部,其用于对所述自由基生成室进行排气;

原料气体供给源,其用于向所述自由基生成室中导入原料气体;以及

真空放电部,其用于使所述自由基生成室中发生真空放电。

10.根据权利要求9所述的质谱分析装置,其中,所述真空放电部为高频等离子体源、空心阴极等离子体源或磁约束型等离子体源。

11.根据权利要求2所述的质谱分析装置,其中,所述质谱分析装置具备前级四极滤质器和后级四极滤质器,所述反应室是设置在该前级四极滤质器与该后级四极滤质器之间的碰撞池。

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