[发明专利]磁记录介质的籽晶层用合金在审
申请号: | 202080034803.2 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN113811628A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 井本未由纪;松原庆明 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | C22C19/03 | 分类号: | C22C19/03;C22C19/05;C22C19/07;C22C30/00;C23C14/34;G11B5/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 籽晶 合金 | ||
1.一种磁记录介质的籽晶层用合金,其包含:Ni;选自Fe和Co中的至少1种;选自W、Mo、Ta、Cr、V和Nb中的1种或2种以上的元素M1;选自Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re和Pt中的1种或2种以上的元素M2;和不可避免的杂质,
所述元素M1的含有率为2at.%以上且13at.%以下,
所述元素M2的含有率为2at.%以上且13at.%以下,
所述元素M1的含有率与所述元素M2的含有率之和为4at.%以上且15at.%以下,
所述合金中的Ni的含有率at.%、Fe含有率at.%和Co的含有率at.%之比Ni∶Fe∶Co设为X∶Y∶Z时,X为20以上且100以下,Y为0以上且50以下,Z为0以上且60以下。
2.根据权利要求1所述的籽晶层用合金,其中,
所述合金还包含选自Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C和Mn中的1种或2种以上的元素M3,
所述元素M3的含有率超过0at.%且为5at.%以下。
3.一种溅射靶,其由权利要求1或2中任一项所述的合金形成。
4.一种磁记录介质,其具有由权利要求1或2中任一项所述的合金形成的籽晶层。
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