[发明专利]磁记录介质的籽晶层用合金

说明书

本发明的课题在于，提供一种可以得到大容量且耐蚀性优异的磁记录介质的籽晶层用合金，为了解决上述课题，本发明提供一种磁记录介质的籽晶层用合金，其包含Ni、选自Fe和Co中的至少1种、选自W、Mo、Ta、Cr、V和Nb中的1种或2种以上的元素M1、选自Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re和Pt中的1种或2种以上的元素M2、和不可避免的杂质，元素M1的含有率为2～13at.％，元素M2的含有率为2～13at.％，元素M1的含有率与元素M2的含有率之和为4～15at.％，合金中的Ni、Fe和Co的含有率(at.％)之比Ni∶Fe∶Co设为X∶Y∶Z时，X为20～100，Y为0～50，Z为0～60。

技术领域

本发明涉及磁记录介质的籽晶层用合金。详细而言，本发明涉及适合籽晶层的形成的Ni系合金。

背景技术

为了记录装置的大容量化，正在开发采用垂直磁记录方式的记录介质。垂直记录方式中，在记录介质的磁性膜中，易磁化轴相对于介质面沿垂直方向取向。采用该方式的垂直磁记录介质的记录密度高。

垂直磁记录介质具有磁记录层和软磁性层。在磁记录层与软磁性层之间形成有籽晶层、基底膜层等中间层。垂直磁记录介质中，通过磁记录层的晶粒的微细化，可以得到高记录密度。籽晶层的晶粒的微细化和结晶取向性有助于磁记录层的微细化。

日本特开2009-155722公报中公开了一种材质为Ni-W合金的中间层用的靶。该靶中，作为X射线衍射中的fcc相的Ni固溶体的强度比被控制，从而抑制通过溅射得到的合金膜的偏差。

日本特开2012-128933公报中公开了一种材质为Ni-Fe-Co-M合金的籽晶层用靶。该合金含有W、Mo、Ta、Cr、V或Nb作为元素M。该靶有助于籽晶层中的晶粒的微细化和朝向(111)面的取向。

日本特开2017-191625公报中公开了一种材质为Ni-Fe-Co-M合金的籽晶层用靶。该合金含有Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re或Pt作为元素M。该靶有助于籽晶层中的晶粒的微细化和朝向(111)面的取向。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-155722公报

专利文献2：日本特开2012-128933公报

专利文献3：日本特开2017-191625公报

发明内容

近年来，对于磁记录介质要求进一步提高记录密度。专利文献1-3中公开的使用以合金为材质的靶得到的籽晶层的朝向(111)面的取向性和晶粒的微细化仍有改善的余地。此外，本发明人等发现，使用专利文献3中提出的靶得到的籽晶层耐蚀性低，因此有在记录介质的使用环境下发生腐蚀的问题。

本发明的目的在于，提供一种能够得到记录密度高、且耐蚀性优异的磁记录介质的籽晶层用合金。

用于解决问题的手段

本发明涉及的磁记录介质的籽晶层用合金包含Ni、选自Fe和Co中的至少1种、选自W、Mo、Ta、Cr、V和Nb中的1种或2种以上的元素M1、选自Au、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、Re和Pt中的1种或2种以上的元素M2、和不可避免的杂质。本发明涉及的籽晶层用合金中的元素M1的含有率为2at.％以上且13at.％以下。本发明涉及的籽晶层用合金中的元素M2的含有率为2at.％以上且13at.％以下。本发明涉及的籽晶层用合金中的元素M1的含有率与元素M2的含有率之和为4at.％以上且15at.％以下。本发明涉及的籽晶层用合金中的Ni的含有率(at.％)、Fe的含有率(at.％)和Co的含有率(at.％)之比Ni∶Fe∶Co设为X∶Y∶Z时，X为20以上且100以下，Y为0以上且50以下，Z为0以上且60以下。