[发明专利]具有场板的高压晶体管

权利要求书

1.一种设备，其包括：

形成在半导体衬底上的晶体管，所述晶体管包括：

晶体管栅极和所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极；

晶体管源极触点，其耦合到源极触点探针垫；

第一电介质层，其覆盖所述半导体衬底和所述晶体管栅极；

源极场板，其位于所述第一电介质层上并耦合到与所述源极触点探针垫隔开并电隔离的源极场板探针垫；和

所述源极场板通过所述第一电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第一部分。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电介质层包括第一金属间电介质层/金属前电介质层电介质堆叠。

3.根据权利要求2所述的设备，所述晶体管进一步包括：

栅极场板，其在所述金属前电介质层上方；和

所述栅极场板通过所述金属前电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第二部分，所述第二部分位于所述晶体管栅极和所述延伸漏极的所述第一部分之间。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述栅极场板在穿过所述金属前电介质层的开口中耦合到所述晶体管栅极。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述栅极场板耦合到栅极场板探针垫，并且所述晶体管栅极耦合到栅极探针垫。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶体管包括氮化镓(GaN)晶体管。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶体管包括氧化镓(Ga₂O₃)晶体管。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶体管包括硅漏极延伸金属氧化物半导体(DEMOS)晶体管。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶体管的所述源极场板进一步包括：

第一源极场板，其通过第一金属间电介质层/金属前电介质层电介质堆叠电容耦合到邻近所述晶体管栅极的所述延伸漏极的所述第一部分；

所述第一源极场板耦合到第一源极场板探针垫；

第二源极场板，其通过第二金属间电介质层/第一金属间电介质层/金属前电介质层电介质堆叠电容耦合到所述延伸漏极的所述第一部分和所述晶体管漏极触点之间的所述延伸漏极的第三部分；和

所述第二源极场板耦合到第二源极场板探针垫。

10.根据权利要求9所述的设备，所述晶体管进一步包括在所述金属前电介质层上方的栅极场板，所述栅极场板通过所述金属前电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第二部分，所述延伸漏极的所述第二部分定位于所述栅极和所述延伸漏极的所述第一部分之间。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述栅极场板在穿过所述金属前电介质层的开口中耦合到所述晶体管栅极。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述栅极场板耦合到栅极场板探针垫，并且所述晶体管栅极耦合到与所述栅极场探针垫隔开且电隔离的栅极探针垫。