[发明专利]具有场板的高压晶体管

说明书

晶体管(105)形成在半导体衬底(100)上。所述晶体管包含：晶体管栅极(108)和在所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极(107)；晶体管源极触点(120)，其耦合到源极触点探针垫(128)；第一电介质层(110)，其覆盖所述半导体衬底和所述晶体管栅极；源极场板(122)，其位于所述第一电介质层上并耦合到与所述源极触点探针垫隔开并电隔离的源极场板探针垫；且所述源极场板通过所述第一电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第一部分(109)。

技术领域

本公开大体涉及高压晶体管，且更具体来说涉及具有场板的高压晶体管。

发明内容

在所描述的实例中，一种设备包含形成在半导体衬底上的晶体管，所述晶体管包含：晶体管栅极和在所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极；晶体管源极触点，其耦合到源极触点探针垫；第一电介质层，其覆盖所述衬底和所述晶体管栅极；源极场板，其位于所述第一电介质层上并耦合到与所述源极触点探针垫隔开并电隔离的源极场板探针垫；且所述源极场板通过所述第一电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第一部分。

附图说明

图1是高压、高电子迁移率晶体管(hv-HEMT)的横截面图，所述晶体管具有栅极场板、源极场板以及用于晶体管源极和源极场板的单独探针垫。

图2为具有栅极场板、第一源极场板和第二源极场板的hv-HEMT的横截面图，其具有用于晶体管源极、第一源极场板和第二源极场板的单独探针垫。

图3A和3B是具有与晶体管栅极隔离的栅极场板的hv-HEMT的横截面图。

图4为具有栅极场板、第一源极场板和第二源极场板的高压、漏极延伸MOS晶体管(hvDEMOS)的横截面图，其具有用于晶体管源极、第一源极场板和第二源极场板的单独探针垫。

图5是具有高压延伸漏极晶体管的裸片的拐角的平面图，所述晶体管具有晶体管源极，并且具有线接合到引线框架上的第一引线的第一和第二源极场板探针垫，并且具有线接合到第二引线的晶体管漏极探针垫。

分开来说，图6A是具有高压延伸漏极晶体管的裸片的平面图，且图6B是其横截面图。

分开来说，图7A是具有高压延伸漏极晶体管的裸片的平面图，且图7B是其横截面图，所述晶体管的源极和第一和第二源极场板探针垫耦合在一起。

分开来说，图8A是具有高压延伸漏极晶体管的裸片的平面图，且图8B是其横截面图，所述晶体管的源极探针垫和第一和第二源极场板探针垫与重布层耦合在一起。

图9A、9B、9C和9D是说明具有使用倒装芯片球接合耦合到衬底上的相同引线的晶体管源极探针垫、第一源极场板探针垫和第二源极场板探针垫的布置的横截面图。

图10A、10B、10C和10D是说明测试和封装具有电独立源极探针垫和源极场板探针垫的高压延伸漏极晶体管的主要步骤的横截面图。

图11是列出测试和封装具有电独立源极探针垫和源极场板探针垫的高压延伸漏极晶体管的步骤的流程图。

具体实施方式

不同图中对应的数字和符号一般指对应的部分，除非另有指示。所述图不一定按比例绘制。

在此描述中，层被描述为在底层“上”形成。但是，可使用中介层。例如，导体金属可形成在称为“金属间电介质”或“IMD”的电介质层上。术语“在……上”包含将金属直接沉积在金属间电介质(IMD)层上的替代方案，以及将金属沉积在例如抗反射涂层(ARC)层、背面抗反射涂层(BARC)层、粘附层或扩散势垒层的中介层上的替代方案；这些中介层改进结果，包含改进光刻结果，减少分层，以及减少原子向周围材料的扩散。无论是否存在这样的中介层，在本文中，导体层都被称为在电介质层“上”或“上方”。