[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 202080036919.X 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN113840891B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 赤须雄太;宫泽笑;川守崇司;祖父江省吾;大山恭之 申请(专利权)人: 株式会社力森诺科
主分类号: C09J201/00 分类号: C09J201/00;H01L21/304;H01L21/301;C09J7/35
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 陈彦;胡玉美
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其依序包括:

准备临时固定用层叠体的工序,所述临时固定用层叠体包含支撑基板及临时固定材料层,所述支撑基板具有支撑面及与所述支撑面为相反侧的背面,所述临时固定材料层设置于所述支撑面上,其中,所述临时固定材料层具有固化性树脂层,所述固化性树脂层包含所述临时固定材料层的至少一侧的最表面;

经由所述临时固定材料层将半导体部件临时固定于所述支撑基板的工序;

对临时固定于所述支撑基板的所述半导体部件进行加工的工序;以及

从所述背面侧对所述临时固定用层叠体照射光,由此将所述半导体部件从所述支撑基板分离的工序,且

所述临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层,

对多个被照射区域依次照射所述光,各个所述被照射区域包含所述背面的一部分,

从与所述背面垂直的方向观察时,相邻的所述被照射区域彼此部分重叠,且多个所述被照射区域合并而成的区域包含所述背面整体。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,

所述光为非相干光。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,

所述非相干光的光源为氙灯。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,

所述临时固定材料层具有金属层作为所述光吸收层,所述金属层作为与所述固化性树脂层不同的层而设置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,

在将所述光的光源固定的状态下使所述支撑基板旋转,由此对多个所述被照射区域依次照射所述光。

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