[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明公开一种半导体装置的制造方法，其包括：对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序；以及对临时固定用层叠体从支撑基板的背面侧照射光，由此将半导体部件从支撑基板分离的工序。对多个被照射区域依次照射光，各个被照射区域包含背面的部分。从与背面垂直的方向观察时，相邻的被照射区域彼此一部分重叠，且将多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的领域中，近年来，与层叠有多个半导体元件的被称为系统级封装(System in Package，SIP)的封装相关的技术正在显著成长。在SIP型封装中，由于层叠许多半导体元件，要求半导体元件的厚度减薄。因此，有时会在将集成电路装入半导体部件(例如半导体晶圆)中之后，实施例如对半导体部件的背面进行研削的厚度减薄、对半导体晶圆进行切割的个体化等加工处理。这些半导体部件的加工处理通常在通过临时固定材料层将半导体部件临时固定于支撑基板的状态下进行(例如，参考专利文献1～专利文献3。)。专利文献2、专利文献3公开有一种通过对临时固定材料层照射激光(相干(coherent)光)来分离半导体部件的方法。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-126803号公报

专利文献2：日本专利特开2016-138182号公报

专利文献3：日本专利特开2013-033814号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明针对包括对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序的半导体装置的制造方法，提供一种能够容易地将加工后的半导体部件从支撑基板分离的方法。

用于解决技术课题的手段

本发明的一个方面提供一种半导体装置的制造方法，其依序包括：

准备临时固定用层叠体的工序，所述临时固定用层叠体包含支撑基板及临时固定材料层，所述支撑基板具有支撑面及与所述支撑面为相反侧的背面，所述临时固定材料层设置于所述支撑面上，其中，所述临时固定材料层具有固化性树脂层，所述固化性树脂层包含所述临时固定材料层的至少一侧的最表面；

经由所述临时固定材料层将半导体部件临时固定于所述支撑基板的工序；

对临时固定于所述支撑基板的所述半导体部件进行加工的工序；以及

从所述背面侧对所述临时固定用层叠体照射光，由此将所述半导体部件从所述支撑基板分离的工序，

所述临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层，对多个被照射区域依次照射所述光，各个所述被照射区域包含所述背面的一部分。从与所述背面垂直的方向观察时，相邻的所述被照射区域彼此部分重叠，且多个所述被照射区域合并而成的区域包含所述背面整体。

发明效果

根据本发明的一个方面，针对包括对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序的半导体装置的制造方法，提供一种通过简单的处理能够容易地将加工后的半导体部件从支撑基板分离的方法。

附图说明

图1中，图1(a)、图1(b)及图1(c)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意图。

图2中，图2(a)、图2(b)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意图。

图3中，图3(a)、图3(b)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意图。

图4中，图4(a)、图4(b)及图4(c)是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意图。