[发明专利]钝化膜的制造方法在审
| 申请号： | 202080036949.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113840941A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谷本阳祐 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C8/28 | 分类号： | C23C8/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钝化膜的制造方法，具备钝化工序，
在所述钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在所述基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，所述含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物，
所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。
2.根据权利要求1所述的钝化膜的制造方法，
所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.5摩尔ppm以上且65摩尔ppm以下。
3.根据权利要求1或2所述的钝化膜的制造方法，
所述含氧化合物是氧气和水中的至少一者。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的钝化膜的制造方法，
所述基板在表面具有含有锗和钼中的至少一者的膜。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的钝化膜的制造方法，
在温度为20℃以上且1500℃以下、压力为1Pa以上且101kPa以下的条件下，利用所述钝化气体对所述基板进行处理。
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