[发明专利]钝化膜的制造方法

说明书

提供一种钝化膜的制造方法，其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。采用具备钝化工序的方法制造钝化膜，在该钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，该含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物。钝化气体中的含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。

技术领域

本发明涉及钝化膜的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体领域中，含有除硅(Si)以外的元素的半导体材料受到关注。作为含有除硅以外的元素的半导体材料，例如可举出含有锗(Ge)、铟镓砷(InGaAs)等III-V族元素的半导体材料，含有硫化钼(IV)(MoS₂)等金属硫属化物的半导体材料。

这些半导体材料，虽然具有与硅材料相比机动性(迁移率)高的优点，但存在难以成膜的情况、或由于材料间的界面的缺陷密度高而导致机动性降低的情况。

因此，为了降低材料间的界面的缺陷密度，提出了在锗、钼等基板上使用硫化氢(H₂S)气体形成钝化膜的方法(例如参照专利文献1)。另外，作为金属硫属化物的成膜方法，提出了利用硫化氢气体对钼氧化物层、钨氧化物层进行处理而形成硫化钼层、硫化钨层的方法(例如参照专利文献2)。

在先技术文献

专利文献1：日本特许公开公报2016年第207789号

专利文献2：日本特许公开公报2017年第61743号

发明内容

发明要解决的课题

但是，根据硫化氢气体的品质，有时会出现钝化膜所含有的氧原子的浓度变高、钝化膜的性能降低的情况。

本发明的课题在于提供一种钝化膜的制造方法，其能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。

用于解决课题的手段

为解决上述课题，本发明的一个技术方案如以下的[1]～[5]。

[1]一种钝化膜的制造方法，具备钝化工序，

在所述钝化工序中，利用含有含氧化合物和硫化氢的钝化气体，对表面具有锗和钼中的至少一者的基板进行处理，在所述基板的表面上形成含有硫原子的钝化膜，所述含氧化合物是在分子中具有氧原子的化合物，

所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。

[2]根据[1]记载的钝化膜的制造方法，所述钝化气体中的所述含氧化合物的浓度为0.5摩尔ppm以上且65摩尔ppm以下。

[3]根据[1]或[2]记载的钝化膜的制造方法，所述含氧化合物是氧气和水中的至少一者。

[4]根据[1]～[3]中任一项记载的钝化膜的制造方法，所述基板在表面具有含有锗和钼中的至少一者的膜。

[5]根据[1]～[4]中任一项记载的钝化膜的制造方法，在温度为20℃以上且1500℃以下、压力为1Pa以上且101kPa以下的条件下，利用所述钝化气体对所述基板进行处理。

发明的效果

根据本发明，能够再现性良好地制造氧原子的浓度低的钝化膜。

附图说明

图1是用于说明本发明涉及的钝化膜的制造方法的一个实施方式的成膜装置的概略图。

图2是表示形成有钝化膜的锗膜的表面状态的分析结果的图表。

图3是表示形成有钝化膜的钼膜的表面状态的分析结果的图表。