[发明专利]温度调节单元

说明书

本发明的温度调节单元(1)包括：温度调节单元本体(2)；温度调节部(3)，其设置在温度调节单元本体(2)的内部，对温度调节对象(100)所在侧的该温度调节单元本体(2)的表面温度进行升降温；以及薄膜测温电阻部(4)，其形成在温度调节单元本体(2)的内部、温度调节对象(100)所在侧的面内的一定范围内，并且设置在比温度调节部(3)更靠近温度调节对象(100)的一侧，由热喷涂皮膜形成。该温度调节单元可以准确地测定温度调节面内的平均温度。

技术领域

本发明适用于温度调节单元，该温度调节单元包括用于测定温度调节对象的温度的测温电阻器。

背景技术

近年来，在半导体制造工艺中，基板的微细加工通常采用干法蚀刻等在真空或减压下进行的干法。在使用等离子体的干法蚀刻的情况下，基板会从等离子体输入热量。由于基板的温度影响蚀刻率，因此若其温度分布不均匀，则蚀刻的深度会产生偏差。因此，需要调节温度以使基板在面内的温度均匀，并且需要准确地把握基板温度以进行准确的温度控制。

专利文献1中记载了一种静电吸引装置，其包括：形成有多个冷媒槽的基材、形成在基材上的高电阻层、通过在高电阻层内热喷涂导电体而形成的多个加热器、以及通过在高电阻层内热喷涂导电体而形成的多个静电吸引用电极。在该静电吸引装置中，基材上设置有凹陷，在该凹陷内通过固定夹具固定有获取温度信息的铠装热电偶。专利文献1中记载了由弹簧以一定的按压载荷接触铠装热电偶，因此测定结果的可靠性高。

专利文献2中记载了一种对被处理基板进行固定及温度控制的基板载置装置的评价装置，其包括气密室、具备发热的电阻加热体的评价用基板、以及测定评价用基板的温度的温度测定机构。在电阻加热体上安装有多个热电偶元件的温度探针。另外，还记载了从将埋入电阻加热体中的温度探针取出的开口露出基材，通过设置于气密室内或气密室外的辐射温度计测定从电阻加热体的开口部射出的红外光。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-088411号公报

专利文献2：日本特开2011-155140号公报

发明内容

-发明所需解决的问题-

在如专利文献1所示在基材的凹陷处设置铠装热电偶的情况、以及如专利文献2所示在发热的电阻加热体上安装多个热电偶元件的情况下，配置热电偶的位置均会成为热异常点，与基板原本的温度产生差异，因此难以准确地测定整个基板的平均温度。进而，这些热电偶通常通过从基材背面侧设置的孔进行配置，与基板的距离较远，测定温度与基板的实际温度之间有很大差异。另外，在通过设置在气密室内或气密室外的辐射温度计检测红外光以测定基板温度的方法中，当存在等离子体发光部件或卤素加热器等其他热源时，这些热源阻碍了红外光的温度测定，难以测定基板的准确温度。应予说明，这样的问题不仅限于半导体制造工艺领域，其他领域中使用热电偶时、或者存在其他热源时也会有同样的问题。

本发明鉴于现有技术的问题，目的在于提供可以准确地测定温度调节面内的平均温度的温度调节单元。

-用于解决问题的方案-

本发明的温度调节单元包括：温度调节单元本体；温度调节部，其设置在所述温度调节单元本体的内部，对温度调节对象所在侧的该温度调节单元本体的表面温度进行升降温；以及薄膜测温电阻部，其形成在所述温度调节单元本体的内部、温度调节对象所在侧的面内的一定范围内，并且设置在比所述温度调节部更靠近温度调节对象的一侧，由热喷涂皮膜形成。