[发明专利]α型塞隆荧光体、发光构件和发光装置

权利要求书

1.一种α型塞隆荧光体，包含α型塞隆粒子，

在利用激光衍射散射法测定的该α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中，将累积值为5％的粒径设为D5、将累积值为50％的粒径设为D50、将累积值为98％的粒径设为D98时，

((D98－D5)/D50)为1.00～8.00，

D50为10μm以下，并且

根据下述步骤测定的对于波长为455nm的激发光的内量子效率为75％以上；

步骤：

(1)将该α型塞隆荧光体用作试样，以表面成为平滑的方式将该试样填充于凹型比色皿，在将该凹型比色皿安装于积分球的开口部后，从发光光源将规定波长的单色光导入到积分球内作为激发光，

在25℃下，对凹型比色皿内的试样照射激发光，利用分光光度计测定来自试样的光谱，由得到的光谱数据算出激发反射光光子数即Qref和荧光光子数即Qem；

(2)代替凹型比色皿，使用反射率为99％的标准反射板，除此之外，与所述(1)同样地将标准反射板安装于积分球的开口部，对标准反射板照射激发光，测定波长455nm的激发光的光谱，由得到的光谱数据算出激发光光子数即Qex；

基于下述式，求出所述内量子效率，

内量子效率(％)＝(Qem/(Qex－Qref))×100。

2.根据权利要求1所述的α型塞隆荧光体，其中，

将激发光的波长从455nm变更为700nm，激发光光子数即Qex、激发反射光光子数即Qref由695～710nm的波长范围的光谱算出，除此之外，与所述步骤同样地进行操作，根据下述式求出的对于波长700nm的激发光的光吸收率为10％以下，

光吸收率＝(％)((Qex－Qref)/Qex)×100。

3.根据权利要求1或2所述的α型塞隆荧光体，其中，

对于波长800nm的激发光的扩散反射率为90％以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的α型塞隆荧光体，其中，

所述α型塞隆粒子由下述通式(1)所示的含有Eu元素的α型塞隆构成，

(M)_m(1－x)/p(Eu)_mx/2(Si)_12－(m+n)(Al)_m+n(O)_n(N)_16－n…通式(1)

所述通式(1)中，M表示选自Li、Mg、Ca、Y和镧系元素中的1种以上的元素，所述镧系元素不包括La和Ce，p表示M元素的价数，0＜x＜0.5，1.5≤m≤4.0，0≤n≤2.0。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的α型塞隆荧光体，其中，

在利用激光衍射散射法测定的该α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中将累积值为90％的粒径设为D90时，

D90为5.5μm～35.0μm。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的α型塞隆荧光体，其中，

D50为1.0μm～10.0μm。

7.一种发光构件，具备：

发光元件和将从所述发光元件照射的光进行转换而发光的波长转换体；

所述波长转换体具有权利要求1～6中任一项所述的α塞隆荧光体。

8.一种发光装置，具备权利要求7所述的发光构件。